Разработка 1-нм чипов с использованием новой китайской технологии
Новая технология позволяет наносить атомарно тонкие полупроводниковые слои на крупные пластины, диаметром до 300 мм. Это открывает возможность для производства транзисторов с затвором размер которого 1 нм и меньше (Ангстрем = 0.1 нм), что позволит продлить действие закона Мура и…
Читать дальше