Разработка 1-нм чипов с использованием новой китайской технологии

Новая технология позволяет наносить атомарно тонкие полупроводниковые слои на крупные пластины, диаметром до 300 мм. Это открывает возможность для производства транзисторов с затвором размер которого 1 нм и меньше (Ангстрем = 0.1 нм), что позволит продлить действие закона Мура и выведет электронику на новый уровень.

Китайские учёные разрабротали контактный метод выращивания плёнки с поверхности на поверхность. Активный материал входит в контакт с подложкой сразу по всей её поверхности, давая старт для роста плёнки равномерно во всех её точках. В зависимости от типа активного материала могут быть выращены плёнки нужного состава и даже множество плёнок друг на друге, если это потребуется. Эта же технология подходит для покрытия подложек графеном, что позволит, наконец, внедрить этот интересный материал в массовое производство чипов.

Следует сказать, что учёные заглянули далеко вперёд. Сегодня 2D-материалы (толщиной в 1 атом) только исследуются на предмет использования в структурах 2D-транзисторов и в других качествах. До массового производства подобных решений ещё очень далеко и предстоит провести много научной работы, пока она не воплотится в серийной продукции. Но это важнейшее направление, которое позволит совершить прорыв в производстве электроники.

Прямой источник

Источник мой Телеграм канал:

Источник