3D-NAND

SK Hinyx разрабатывает 96- и 128-слойную 3D NAND

SK Hinyx разрабатывает 96- и 128-слойную 3D NAND

С подачи компании Samsung флеш-память начала расти ввысь, увеличивая ёмкость за счёт наращивания числа слоёв при неизменной (почти) площади кристалла. Сегодня Samsung и Toshiba освоили массовое производство 64-слойной памяти 3D NAND. Следующим шагом, вероятно, станет 80-слойная память, если опираться на…
Читать дальше
Рынок NAND-памяти: дефицит сохраняется — цены растут

Рынок NAND-памяти: дефицит сохраняется — цены растут

По результатам первого квартала, итоги которого подводит аналитическая компания DRAMeXchange, дефицит на рынке флеш-памяти сохраняется. Даже несмотря на сезонный фактор, спрос продолжает заметно превышать предложение, в результате чего цены на чипы NAND не останавливают своего роста. За первый квартал текущего…
Читать дальше
Samsung готовится увеличить мощности по производству чипов памяти в Китае

Samsung готовится увеличить мощности по производству чипов памяти в Китае

Компания Samsung Electronics заявила в понедельник, что рассматривает возможность наращивания производственных мощностей по выпуску чипов памяти в Китае на фоне отраслевого бума, который, скорее всего, будет способствовать рекордным продажам модулей и микросхем памяти. REUTERS/Kim Hong-Ji Сообщив об обсуждении возможного расширения…
Читать дальше
Toshiba решает вопрос о переносе продажи полупроводникового бизнеса

Toshiba решает вопрос о переносе продажи полупроводникового бизнеса

Изначально, казалось бы, идеальный план по выходу компании Toshiba из личного финансового кризиса столкнулся с серьёзными трудностями. Японскому производителю, напомним, необходимо закрыть брешь в финансовых показателях, которую проделал убыточный бизнес компании в сфере американской атомной энергетики. Ещё зимой было решено,…
Читать дальше
Производство 64-слойной памяти 3D NAND стартует в Китае в 2019 году

Производство 64-слойной памяти 3D NAND стартует в Китае в 2019 году

В ходе очередного визита на Тайвань председателя компании Yangtze Memory Technologies Чарльза Кау (Charles Kau) было заявлено, что 64-слойная флеш-память 3D NAND будет готова для производства в Китае в 2019 году. Образцы 32-слойной 3D NAND китайский производитель начнёт поставлять в конце…
Читать дальше
Память 3D NAND станет массовой в третьем квартале

Память 3D NAND станет массовой в третьем квартале

Многослойная энергонезависимая память 3D NAND оказалась выгодна как производителям, так и потребителям. Первые смогли увеличить плотность записи без увеличения площади кристалла микросхем памяти, а вторые получили для записи данных накопители с повышенной устойчивостью к износу и с возросшей скоростью работы.…
Читать дальше
Китайский чипмейкер намерен выпускать DRAM и 3D NAND последних поколений

Китайский чипмейкер намерен выпускать DRAM и 3D NAND последних поколений

Свежеиспеченный китайский производитель компьютерной и энергонезависимой памяти 3D NAND — компания Yangtze Memory Technologies (по другой версии — Yangtze River Storage Technology) — определилась с видом и поколением будущей продукции, которую она начнёт выпускать с 2018 года. Согласно комментариям исполнительного…
Читать дальше
К июлю Samsung запустит в Корее новый завод по выпуску 3D NAND

К июлю Samsung запустит в Корее новый завод по выпуску 3D NAND

В 2015 году компания Samsung затеяла строительство нового гигантского завода по выпуску полупроводников. На строительство и оборудование выделена впечатляющая сумма в $13,6 млрд. Предприятие вблизи города Пхёнтхэк (Pyeongtaek) раскинется на площади 2,89 млн м2. Проектная мощность предприятия, которая будет достигнута…
Читать дальше
В течение марта микросхемы NAND-флеш подорожали на 9%

В течение марта микросхемы NAND-флеш подорожали на 9%

Беда не приходит одна. За прошедший год значительно подорожали микросхемы памяти SDRAM DDR3 и DDR4, безмерно расстроив ценителей персональных компьютеров. Оптовые цены на микросхемы памяти за год увеличились на 42 %. Ближе к концу 2016 года похожая тенденция стала прослеживаться…
Читать дальше
SSD Silicon Motion FerriSSD умещается в одной микросхеме

SSD Silicon Motion FerriSSD умещается в одной микросхеме

Современная электроника, особенно компактная, всё больше нуждается в твердотельных накопителях и пока альтернативы устройствам на базе NAND нет: жёсткие диски хотя и достигли компактных размеров в своё время, остаются медленными, хрупкими и неэкономичными устройствами, память DRAM требует питания, а новые…
Читать дальше