micron technology

Не так давно мы сообщали, что компания Micron приступила в Сингапуре к строительству нового корпуса завода для производства энергонезависимой памяти типа 3D NAND. К счастью, компания также озаботилась инвестициями в производство оперативной памяти типа DRAM, что особенно радует на фоне третьего года роста цен на память. Нельзя сказать, что дефицит тут же испарился. Однако в...

Долгие годы компания Intel разрабатывала и выпускала память NAND-флеш и 3D NAND вместе с компанией Micron. Начиная со следующего года каждая из этих компаний займётся самостоятельной разработкой новых версий многослойной памяти. Напомним, в январе Intel сообщила, что до конца года будет завершена разработка «третьего поколения» 3D NAND в виде 96-слойных чипов и в дальнейшем инженерные...

Вы будете смеяться, но производство памяти снова перед лицом угрозы со стороны негативных внешних факторов. К счастью, землетрясений, цунами, торнадо, пожаров и наводнений не произошло. Компьютерные сети предприятий не поразил вирус или атака хакеров. С поставками электроэнергии тоже всё в полном порядке. Никаких праздников и отпусков. Все работают не покладая рук, а подвели — подрядчики....

«После ряда слияний и приобретений глобальная индустрия по производству памяти развилась в олигополистический рынок, который международные гиганты собираются контролировать путём намеренного создания технологической блокады и чинят препятствия развитию китайских производителей памяти. Это серьёзно ослабляет принципы рыночной экономики и реализацию национальной стратегии Китая». Приведенный выше абзац — это дословный перевод из свежего пресс-релиза китайской компании Fujian...

На днях третий в мире по величине контрактный производитель полупроводников тайваньская компания United Microelectronics Corporation (UMC) обвинила американскую компанию Micron в нарушении ряда патентов на производство памяти и продукции на её основе. В нарушении патентов обвинены китайские подразделения Micron в Шанхае и Сиане. CNA Компания UMC утверждает, что Micron нарушила её патентные права в КНР...

Ранее на этой неделе мы сообщали, что компании Intel и Micron меняют отношение к совместной разработке энергонезависимой памяти 3D NAND. Партнёры по совместному предприятию IM Flash Technologies (IMFT) до конца текущего года представят созданную ими 3D NAND третьего поколения (96-слойную), и, после этого, каждая займётся разработкой многослойной NAND самостоятельно. На первый взгляд, компании приняли странное...