Micron инвестирует в производство на Тайване 10-нм памяти типа DRAM

Не так давно мы сообщали, что компания Micron приступила в Сингапуре к строительству нового корпуса завода для производства энергонезависимой памяти типа 3D NAND. К счастью, компания также озаботилась инвестициями в производство оперативной памяти типа DRAM, что особенно радует на фоне третьего года роста цен на память. Нельзя сказать, что дефицит тут же испарился. Однако в недалёкой перспективе ситуация с нехваткой памяти обещает определённым образом стать лучше.

Новые инвестиции Micron направлены на ускоренное внедрение на тайваньских заводах компании новейших техпроцессов с нормами класса 10 нм. На заводе в Тайчжуне, который является предприятием некогда самостоятельной компании Rexchip Electronics, Micron выпускает DRAM с нормами 1X нм (по неофициальным данным память выпускается с нормами 17 нм). К производству памяти с нормами 1Z нм предприятие будут готово во второй половине 2019 года.

Другой тайваньский завод Micron раньше принадлежал компании Inotera Memories и расположен он вблизи города Таоюань. Это предприятие выпускает память DRAM класса 20 нм. К производству памяти с норами 1X (17 нм) завод приступит во второй половине текущего года и к концу года будет готов начать выпускать память с нормами 1Y. Пока нет никакой информации о техпроцессах 1Y и 1Z. Считается, что память типа DRAM невыгодно выпускать с технологическими нормами менее 15 нм.

В «чистой» комнате производственного комплекса Micron

Впрочем, производители памяти DRAM научились упаковывать кристаллы в стеки, повышая плотность записи в пересчёте на единицу поверхности посадочного места чипа. Так, с целью расширить на Тайване выпуск стеков DRAM компания Micron расширит деятельность своего упаковочного завода на острове. На предприятие по упаковке «3D DRAM» Micron наймёт дополнительно 1150 специалистов (800 до конца года и 350+ в следующем году). В целом Micron рассчитывает вписаться в рыночные тенденции как по поставкам 3D NAND, так и DRAM.