Через три года можно ждать появления 512-слойной 3D NAND и 512-Тбайт 2,5" SSD

производство микросхем

Через три года можно ждать появления 512-слойной 3D NAND и 512-Тбайт 2,5" SSD

Ещё в мае на конференции IEEE International Memory Workshop (IMW) производитель литографического производственного оборудования компания Applied Materials представил собственное видение развития многослойной 3D NAND памяти. На недавней конференции Flash Memory Summit 2018, которая прошла в начале августа, тему перспектив многослойной NAND памяти подхватил аналитик компании Objective Analysis Джим Ханди (Jim Handy). Джим Ханди не просто...

Для ускорения работы транзистора учёные встроили в него лазер

Учёные Университета Пердью в штате Индиана предложили улучшить структуру субмикронного полевого транзистора, встроив в него для этого полупроводниковый лазер. Ожидается, что такая гибридная структура обеспечит ошеломительный эффект в виде снижения потребления транзистора наноразмерного уровня и приведёт к повышению производительности за счёт увеличения скорости его переключения. Структура обычного кремний-германиевого полевого транзистора (Purdue Office of Technology Commercialization)...

TSMC подтвердила планы массового производства 3-нм чипов в 2022 году

По данным сайта EXPreview, руководство компании TSMC подтвердило планы начать массовое производство 3-нм полупроводниковой продукции в 2022 году. На сегодняшний день к выпуску 3-нм чипов ускоренными темпами идут только две компании: TSMC и Samsung. Причём Samsung может сделать это первой на один год раньше TSMC — в 2021 году. Компания Intel застряла на этапе снижения...

Tsinghua Unigroup покупает долю в тайваньском упаковщике чипов

Китайский холдинг Tsinghua Unigroup тщательно выстраивает инфраструктуру для грядущей полупроводниковой революции в стране. Под крылом Tsinghua при непосредственном участии совместного предприятия YMTC вызрела и внедряется в производство многослойная память 3D NAND. Реализуются другие проекты: открываются центры по предоставлению облачных услуг и центры разработки полупроводников и электроники. Сделать надо много. И хорошо, что рядом есть Тайвань,...

SK Hynix представила «4D NAND»

Как и другие производители флеш-памяти компания SK Hynix не могла пропустить мероприятие Flash Memory Summit 2018. На годовом саммите SK Hynix представила ни много ни мало, а целую «4D NAND». Где же южнокорейский производитель нашёл четвёртое измерение? https://www.tomshardware.com Увы, детальное изучение новой в кавычках разработки SK Hynix указывает на маркетинговую уловку — представленная технология не...

UMC получает доступ к технологиям производства встраиваемой памяти MRAM

Третий в мире по величине контрактный производитель полупроводников тайваньская компания United Microelectronics Corporation (UMC) сообщил о заключении технологического партнёрства с американским разработчиком энергонезависимой памяти STT-MRAM (Spin Transfer Torque Magnetic RAM) компанией Avalanche Technology. Согласно договору, UMC сможет выпускать для заказчиков контроллеры и SoC с памятью MRAM на основе доступных по стоимости пакетов лицензирования Avalanche. За...

Китайская 3D NAND будет сложнее мировых аналогов

Сегодня стартует ежегодный двухдневный саммит Flash Memory Summit (2018). В преддверии этого события китайская компания Yangtze Memory Technologies (YMTC) раскрывает детали широко анонсированной фирменной технологии Xtacking. Как было заявлено, Xtacking изменит представление о скорости работы интерфейсов 3D NAND и логики, управляющей внутренними процессами в микросхемах 3D NAND. Чем же это достигается? «Китайская память» 3D NAND...

SK Hynix объявила о планах построить ещё один завод для производства памяти

Вслед за публикацией превосходного по содержанию пресс-релиза о получении рекордной квартальной выручки южнокорейская компания SK Hynix официально сообщила о намерении построить ещё один полупроводниковый завод для производства памяти. Строительство начнётся ближе к концу текущего года вблизи штаб-квартиры компании в городе Ичхон. В строй новый завод обещает войти в октябре 2020 года. Правда, пока компания не...

В разработке технологий 3D NAND китайцы вышли на мировой уровень

Часто комментарии к новостям из Китая по поводу разработки национальных технологий производства памяти сводятся к тому, что «китайская» память 3D NAND или DRAM не выйдет за пределы страны. Во-первых, кто позволит (патенты и прочее)? Во-вторых, самим, мол, не хватает. Вопрос с дефицитом производства памяти в Китае должен быть решён в течение следующих пяти лет. Одна...

Toshiba Memory приступила к строительству нового завода по выпуску 3D NAND

В полном соответствии с намеченными ранее планами компания Toshiba Memory Corporation приступила к строительству нового завода для производства памяти 3D NAND (торговая марка BiCS FLASH). Завод будет построен на новой для Toshiba площадке на севере Японии в префектуре Иватэ вблизи города Китаками (Kitakami). Возведение цехов и подготовка инфраструктуры будут завершены осенью 2019 года. Завод в...

Поиск по играм, новостям и статьям…

Введите не менее двух символов

Введите не менее двух символов