производство микросхем

Через три года можно ждать появления 512-слойной 3D NAND и 512-Тбайт 2,5" SSD

Ещё в мае на конференции IEEE International Memory Workshop (IMW) производитель литографического производственного оборудования компания Applied Materials представил собственное видение развития многослойной 3D NAND памяти. На недавней конференции Flash Memory Summit 2018, которая прошла в начале августа, тему перспектив многослойной…
Читать дальше

Для ускорения работы транзистора учёные встроили в него лазер

Учёные Университета Пердью в штате Индиана предложили улучшить структуру субмикронного полевого транзистора, встроив в него для этого полупроводниковый лазер. Ожидается, что такая гибридная структура обеспечит ошеломительный эффект в виде снижения потребления транзистора наноразмерного уровня и приведёт к повышению производительности за…
Читать дальше

TSMC подтвердила планы массового производства 3-нм чипов в 2022 году

По данным сайта EXPreview, руководство компании TSMC подтвердило планы начать массовое производство 3-нм полупроводниковой продукции в 2022 году. На сегодняшний день к выпуску 3-нм чипов ускоренными темпами идут только две компании: TSMC и Samsung. Причём Samsung может сделать это первой…
Читать дальше

Tsinghua Unigroup покупает долю в тайваньском упаковщике чипов

Китайский холдинг Tsinghua Unigroup тщательно выстраивает инфраструктуру для грядущей полупроводниковой революции в стране. Под крылом Tsinghua при непосредственном участии совместного предприятия YMTC вызрела и внедряется в производство многослойная память 3D NAND. Реализуются другие проекты: открываются центры по предоставлению облачных услуг…
Читать дальше

SK Hynix представила «4D NAND»

Как и другие производители флеш-памяти компания SK Hynix не могла пропустить мероприятие Flash Memory Summit 2018. На годовом саммите SK Hynix представила ни много ни мало, а целую «4D NAND». Где же южнокорейский производитель нашёл четвёртое измерение? https://www.tomshardware.com Увы, детальное…
Читать дальше

UMC получает доступ к технологиям производства встраиваемой памяти MRAM

Третий в мире по величине контрактный производитель полупроводников тайваньская компания United Microelectronics Corporation (UMC) сообщил о заключении технологического партнёрства с американским разработчиком энергонезависимой памяти STT-MRAM (Spin Transfer Torque Magnetic RAM) компанией Avalanche Technology. Согласно договору, UMC сможет выпускать для заказчиков…
Читать дальше

Китайская 3D NAND будет сложнее мировых аналогов

Сегодня стартует ежегодный двухдневный саммит Flash Memory Summit (2018). В преддверии этого события китайская компания Yangtze Memory Technologies (YMTC) раскрывает детали широко анонсированной фирменной технологии Xtacking. Как было заявлено, Xtacking изменит представление о скорости работы интерфейсов 3D NAND и логики,…
Читать дальше

SK Hynix объявила о планах построить ещё один завод для производства памяти

Вслед за публикацией превосходного по содержанию пресс-релиза о получении рекордной квартальной выручки южнокорейская компания SK Hynix официально сообщила о намерении построить ещё один полупроводниковый завод для производства памяти. Строительство начнётся ближе к концу текущего года вблизи штаб-квартиры компании в городе…
Читать дальше

В разработке технологий 3D NAND китайцы вышли на мировой уровень

Часто комментарии к новостям из Китая по поводу разработки национальных технологий производства памяти сводятся к тому, что «китайская» память 3D NAND или DRAM не выйдет за пределы страны. Во-первых, кто позволит (патенты и прочее)? Во-вторых, самим, мол, не хватает. Вопрос…
Читать дальше

Toshiba Memory приступила к строительству нового завода по выпуску 3D NAND

В полном соответствии с намеченными ранее планами компания Toshiba Memory Corporation приступила к строительству нового завода для производства памяти 3D NAND (торговая марка BiCS FLASH). Завод будет построен на новой для Toshiba площадке на севере Японии в префектуре Иватэ вблизи…
Читать дальше
Меню