Судя по всему, со временем переход на техпроцессы с нормами 3 нм — дело уже решённое. Компания Samsung планирует внедрить 3-нм полупроводниковую литографию в 2021 году, а компания TSMC — в 2022-м. На бумаге всё это выглядит хорошо, но на пути к новым «глубинам» полно и оврагов. Процессор IBM CMOS 7S: 7 слоёв медных соединений...
В начале января как гром среди ясного неба разнеслась информация, что компании Intel и Micron прекратят совместную разработку многослойной памяти 3D NAND, начиная с четвёртого поколения или, конкретизируя, после завершения разработки 96-слойной памяти. Появились спекуляции, что Intel собирается делать ставку на память 3D XPoint, хотя компании продолжат совершенствовать этот тип энергонезависимой памяти рука об руку....
Давно не секрет, что компания AMD разделит заказы на 7-нм продукцию между компаниями TSMC и GlobalFoundries. Тайваньский контрактный производитель полупроводников быстрее всех в мире внедряет новейшие техпроцессы и будет готов раньше других удовлетворить потребность AMD в продуктах с использованием самых передовых технологий производства. Однако представители компании GlobalFoundries предпочли иную формулировку тому факту, что AMD снова...
Традиционно массив памяти SRAM в составе процессоров занимает приличную площадь (как правило, для кеш-памяти первых трёх уровней). Его сложно уменьшить, поскольку каждая ячейка SRAM содержит до шести транзисторов. Память SRAM должна быть максимально производительной и, поэтому, опирается на логику, а не на заряд в конденсаторе, как обычная память DRAM. Всё это также создаёт проблемы с...
Официальным пресс-релизом подразделение Toshiba Memory Corporation одноимённой японской корпорации анонсировало сроки начала строительства нового завода по выпуску флеш-памяти 3D NAND (фирменное название — BiCS FLASH). Новое предприятие будет построено на сервере страны в префектуре Иватэ вблизи города Китаками (Kitakami). Строительство начнётся в июле текущего года и будет закончено примерно год спустя. Затем компании понадобится ещё...
До мая 2016 года у полупроводникового подразделения компании Samsung Electronics не было особенной необходимости работать на публику, например, делиться планами и тонкостями грядущих технологических процессов. После означенной выше даты Samsung выделила из полупроводникового подразделения группу для контрактного производства чипов и оказалась вовлечена в увлекательный процесс популяризации фирменных техпроцессов. Компания TSMC делает это давно и со...
Европа встаёт с колен. А если серьёзно, давно никто из европейских производителей полупроводников не строил заводы в Старом Свете. Впервые за много лет на этот шаг отважилась немецкая компания Infineon Technologies AG. В городе Филлах (Villach) в Австрии вблизи действующего опытного полупроводникового предприятия Infineon компания возведёт новые корпуса для обработки 300-мм «тонких» кремниевых подложек. Очевидно,...
Сопровождающая продажу полупроводникового подразделения корпорации Toshiba «мыльная опера» подошла к своему завершению. Японский гигант выпустил пресс-релиз, в котором сообщил о получении от китайского регулятора всех необходимых разрешений на продажу подразделения Toshiba Memory. Подразделение TMC решено было продать ещё в марте 2017 года. Вырученная за него сумма в размере свыше $18 млрд необходима была корпорации для...
Резистивная энергонезависимая память ReRAM понемногу прокладывает себе дорогу в мир. Пока использование ReRAM в продуктах носит опытный характер, но через год или два всё может измениться в сторону более широкого использования этого нового типа энергонезависимой памяти в электронике и компьютерной технике. Так, изобретатель одной из перспективных версий ReRAM компания Crossbar сообщила, что между ней и...
Компания TSMC, как известно, для производства полупроводников с нормами 5 нм и 3 нм строит по одному новому заводу для каждого техпроцесса. Компания GlobalFoundries может последовать по похожему пути. Правда, за одним исключением. Второй в мире по величине производитель чипов может пропустить 5-нм производство и сразу перейти с 7-нм техпроцесса на 3-нм. В интервью нашим...
