Foxconn может стать производителем полупроводников

производство микросхем

Foxconn может стать производителем полупроводников

Компания Hon Hai Precision Industry, известная всем своим брендом Foxconn, рассматривает возможность выхода на рынок производства полупроводников. Несколько дней назад, как сообщает китайская пресса, стало известно об интересе Foxconn к строительству полупроводниковых заводов, способных обрабатывать 300-мм кремниевые подложки. Поскольку эти слухи начали циркулировать в Китае, можно предположить, что заводы должны быть построены в этой стране...

TSMC внедряет настоящую 3D-упаковку полупроводников

Замедление темпов перехода на новые технологические нормы для выпуска полупроводников заставляет производителей и разработчиков искать иные средства для увеличения сложности и функциональности решений. Застой уже на горизонте. Техпроцесс с нормами 5 нм обещает родиться в муках и прийти надолго. Один из способов обойти это ограничение заключается в возможности упаковать в один корпус микросхемы несколько кристаллов,...

Инструменты Synopsys сертифицированы для проектирования чипов под 7-нм EUV-техпроцесс TSMC

Компания Synopsys сообщила, что пакет её инструментов Synopsys Design Platform сертифицирован для проектирования чипов под производство TSMC с нормами 7 нм FinFET с использованием проекции в сверхжёстком ультрафиолетовом излучении (EUV). Это так называемый техпроцесс TSMC 7N+. В настоящий момент для производства 7-нм FinFET чипов компания TSMC использует иммерсионную литографию и 193-нм сканеры. Техпроцесс с частичным...

Грядёт возмездие: юристы Hagens Berman подали коллективный иск против производителей DRAM

Ещё в 2016 году, когда цены на память типа DRAM уверенно поползли вверх, аналитики открытым текстом сообщали, что всё это похоже на игры монополистов. Всерьёз озаботиться проблемой роста цен на память китайские власти, например, решили только в начале текущего 2018 года. Надеялись, что само «рассосётся»? Увы, этого не произошло. Производителей памяти можно пересчитать по пальцам...

Intel переносит массовое производство с нормами 10 нм на «когда-нибудь» в 2019 году

История с переходом на техпроцесс с нормами 10 нм пошла по тому же сценарию, что и история с переходом на 14-нм техпроцесс. Если коротко — уровень брака настолько большой, что массовое производство с нормами 10 нм продолжает оставаться невыгодным. Во второй половине прошлого года компания начала поставки первых 10-нм процессоров для рынка сверхтонких ноутбуков и...

Micron инвестирует в производство на Тайване 10-нм памяти типа DRAM

Не так давно мы сообщали, что компания Micron приступила в Сингапуре к строительству нового корпуса завода для производства энергонезависимой памяти типа 3D NAND. К счастью, компания также озаботилась инвестициями в производство оперативной памяти типа DRAM, что особенно радует на фоне третьего года роста цен на память. Нельзя сказать, что дефицит тут же испарился. Однако в...

Samsung приступила к массовому производству 10-нм «автомобильной» памяти LPDDR4X

Компания Samsung Electronics сообщила, что началось массовое производство улучшенной памяти типа LPDDR4X для использования в автомобильной электронике. Если до этого компания выпускала для электроники машин память 20-нм класса с поддержкой стандарта «Automotive Grade 2», то новая память перешла на техпроцесс класса 10 нм и, что более важно, соответствует требованиям стандарта «Automotive Grade 1». Это означает,...

Развитие Интернета вещей приведёт к нехватке 200-мм производственных мощностей

Значительная часть предприятий по выпуску полупроводников всё ещё использует пластины диаметром 200 мм. Компания Samsung, например, для обеспечения контрактного производства выделила подразделению Samsung Foundry два завода с линиями для обработки 200-мм кремниевых подложек. Заводы с «200-мм» линиями есть у компаний TSMC, UMC, SMIC и у других крупных и не очень крупных производителей. Другой пример, 200-мм...

Техпроцесс с нормами 5 нм станет доступным через два года и надолго

На днях на встрече с инвесторами глава TSMC Моррис Чан (Morris Chang) изложил перспективы внедрения на линиях компании новых техпроцессов. Но разговор он начал с рассказа о темпах адаптации 7-нм техпроцесса. Все выпускаемые решения с использованием 7-нм технологических норм с транзисторами FinFET полностью соответствуют ожиданиям как по электрическим характеристикам, так и по уровню выхода годных...

Intel удваивает усилия по разработке 3D NAND своими силами

Долгие годы компания Intel разрабатывала и выпускала память NAND-флеш и 3D NAND вместе с компанией Micron. Начиная со следующего года каждая из этих компаний займётся самостоятельной разработкой новых версий многослойной памяти. Напомним, в январе Intel сообщила, что до конца года будет завершена разработка «третьего поколения» 3D NAND в виде 96-слойных чипов и в дальнейшем инженерные...

Поиск по играм, новостям и статьям…

Введите не менее двух символов

Введите не менее двух символов