В течение марта микросхемы NAND-флеш подорожали на 9%

Беда не приходит одна. За прошедший год значительно подорожали микросхемы памяти SDRAM DDR3 и DDR4, безмерно расстроив ценителей персональных компьютеров. Оптовые цены на микросхемы памяти за год увеличились на 42 %. Ближе к концу 2016 года похожая тенденция стала прослеживаться при заключении контрактов на поставку флеш-памяти NAND. Спрос на микросхемы флеш-памяти оказался достаточно высоким в таких областях, как производство твердотельных накопителей серверного назначения и выпуск смартфонов. Производители NAND не смогли удовлетворить весь спрос на энергонезависимую память, что привело к росту контрактных цен на продукцию.

По данным группы DRAMeXchange компании TrendForce, контрактные цены на NAND уверенно растут третий квартал подряд. По заключённым сделкам только с конца февраля по конец марта микросхемы NAND MLC ёмкостью 64 Гбит поднялись в цене на 9,54 %. Цена одной микросхемы выросла до $3,56.

Нехватка памяти объясняется серьёзными проблемами при переходе с производства 2D NAND на 3D NAND. Уровень брака остаётся очень высоким. Компания Samsung около полутора лет выходила на безубыточное производство 3D NAND, но она начала выпускать многослойную NAND самой первой и сейчас снимает все сливки с этого направления. Компании Intel, Micron, Toshiba и SK Hynix продолжают отлаживать техпроцесс выпуска 3D NAND, отчего страдают объёмы производства.

Интересно, но в проблемах конкурентов отчасти можно обвинить компанию Samsung. В попытке догнать Samsung по снижению себестоимости хранения одного бита данных конкуренты начали быстро наращивать число слоёв 3D NAND. Вместо выпуска на первом этапе достаточных объёмов 32-слойных микросхем и отладки производства компании Micron, Toshiba и SK Hynix приступили, соответственно, к производству 64-слойной и 72-слойной 3D NAND. Они попытались с места взять тот барьер, на преодоление которого Samsung потратила три года. В результате имеем то, что имеем — дефицит продукции и рост цен.