Русский
Паблик ВК
Телеграм Канал
Магазин
Обратная связь
18+
SE7EN.ws

3D-NAND

О вероятной причине прекращения совместных разработок 3D NAND компаниями Intel и Micron

О вероятной причине прекращения совместных разработок 3D NAND компаниями Intel и Micron

3D-NAND, micron technology, производство микросхем
В начале января как гром среди ясного неба разнеслась информация, что компании Intel и Micron прекратят совместную разработку многослойной памяти 3D NAND, начиная с четвёртого поколения или, конкретизируя, после завершения разработки 96-слойной памяти. Появились спекуляции, что Intel собирается делать ставку…
Читать дальше
Новый завод поможет Toshiba Memory нарастить выпуск 3D NAND

Новый завод поможет Toshiba Memory нарастить выпуск 3D NAND

3D-NAND, toshiba corporation, заводы, производство микросхем
Официальным пресс-релизом подразделение Toshiba Memory Corporation одноимённой японской корпорации анонсировало сроки начала строительства нового завода по выпуску флеш-памяти 3D NAND (фирменное название — BiCS FLASH). Новое предприятие будет построено на сервере страны в префектуре Иватэ вблизи города Китаками (Kitakami). Строительство…
Читать дальше
Подробнее о новой 3D NAND QLC памяти Intel и Micron

Подробнее о новой 3D NAND QLC памяти Intel и Micron

3D-NAND, intel, micron technology
Как мы сообщали, компании Intel и Micron приступили к массовому производству самой ёмкой и самой плотной в индустрии флеш-памяти 3D NAND ёмкостью 1 Тбит. На основе данных чипов компания Micron разработала серию SSD 5210 Ion вместимостью от 1,92 Тбайт до…
Читать дальше
В 2021 году ожидается выход «140+»-слойной памяти 3D NAND

В 2021 году ожидается выход «140+»-слойной памяти 3D NAND

140-layer, 3D-NAND, SSD, wd
Аналитики компании Applied Materials, одного из крупнейших производителей оборудования для полупроводниковой промышленности, прогнозируют освоение ведущими производителями флеш-памяти технологии «140+»-слойной 3D NAND в 2021 году. Под «140+» подразумевается пока ещё не утверждённое количество слоёв NAND флеш-памяти, которое, по-видимому, будет кратно 16 (144 или 160…
Читать дальше
Разработка «китайской» 3D NAND потребовала свыше млрд и более 2 лет

Разработка «китайской» 3D NAND потребовала свыше $1 млрд и более 2 лет

3D-NAND, tsinghua unigroup
Десятого мая в Шанхае открылась первая в истории Китая выставка «China Brand Day», в ходе которой, по замыслу организаторов, китайские компании должны были продемонстрировать уникальные разработки на уровне передовых мировых проектов. И, конечно же, выставка не обошлась без стенда компании…
Читать дальше
Intel удваивает усилия по разработке 3D NAND своими силами

Intel удваивает усилия по разработке 3D NAND своими силами

3D-NAND, intel, micron technology, китай, производство микросхем
Долгие годы компания Intel разрабатывала и выпускала память NAND-флеш и 3D NAND вместе с компанией Micron. Начиная со следующего года каждая из этих компаний займётся самостоятельной разработкой новых версий многослойной памяти. Напомним, в январе Intel сообщила, что до конца года…
Читать дальше
Innotron Memory движется к производству в Китае памяти DDR4

Innotron Memory движется к производству в Китае памяти DDR4

3D-NAND, DDR4, китайские производители, производство микросхем
Мы не раз рассказывали, что основу производства «национальной» памяти DRAM и NAND в Китае начали закладывать три компании — это Yangtze Memory Technologies Company (производство 3D NAND), JHICC (производство DRAM) и Innotron Memory (производство DRAM). Для этого все они к…
Читать дальше
Оформлен первый коммерческий заказ на «китайскую» 3D NAND

Оформлен первый коммерческий заказ на «китайскую» 3D NAND

3D-NAND, tsinghua unigroup, китайские производители, производство микросхем
Неделю назад мы рассказывали, что 11 апреля в цеха компании Yangtze Memory Technologies (YMTC) начало поступать первое промышленное оборудование для выпуска «натуральной китайской» многослойной памяти 3D NAND. В ходе торжественного мероприятия по этому поводу глава материнской корпорации Tsinghua Unigroup Жао…
Читать дальше
Micron расширяет Fab 10 в Сингапуре: Больше слоёв в 3D NAND!

Micron расширяет Fab 10 в Сингапуре: Больше слоёв в 3D NAND!

3D-NAND, fab 10n, Fab 10X, micron, NAND
Корпорация Micron Technology в этом месяце начала строительство третьего модуля производственного комплекса Fab 10 в Сингапуре. Как и имеющиеся Fab 10X и Fab 10N, новая фабрика будет использоваться для выпуска 3D NAND флеш-памяти. Micron подчёркивает, что расширение Fab 10 не…
Читать дальше
Yangtze Memory приступила к установке оборудования для выпуска 3D NAND

Yangtze Memory приступила к установке оборудования для выпуска 3D NAND

3D-NAND, tsinghua unigroup, инвестиции, китайские производители, производство микросхем
Пару дней назад на открытии выставки CITE 2018 (China Information Technology Expo) председатель совета директоров корпорации Tsinghua Unigroup Жао Вейгуо (Zhao Weiguo) сообщил, что с 11 апреля на новом предприятии дочерней компании Yangtze Memory Technology специалисты приступили к монтажу производственного…
Читать дальше

Паблик ВКонтакте