Разработка «китайской» 3D NAND потребовала свыше $1 млрд и более 2 лет

Десятого мая в Шанхае открылась первая в истории Китая выставка «China Brand Day», в ходе которой, по замыслу организаторов, китайские компании должны были продемонстрировать уникальные разработки на уровне передовых мировых проектов. И, конечно же, выставка не обошлась без стенда компании Yangtze Memory Technology, где была показана первая разработанная и произведённая в этой стране многослойная память 3D NAND.

Yangtze Memory Technology

В апреле, как мы сообщали, компания Yangtze Memory на построенном в прошлом году заводе для обработки 300-мм кремниевых пластин приступила к установке и наладке производственного оборудования для выпуска памяти 3D NAND. Массовое производство первой продукции — 32-слойных микросхем предположительно ёмкостью 64 Гбит (8 Гбайт) — начнётся позже в текущем году. Но опытное производство уже ведётся и производителю есть, что привезти и показать на выставке.

Стенд Tsinghua с 32-слойной 3D NAND и SoC с LTE-модемом (Yangtze Memory Technology)

В ходе выставочного мероприятия представители компании подчеркнули, что технология производства 3D NAND разработана собственными усилиями в течение двух последних лет. Над разработкой трудилось свыше 1000 инженеров, а финансовые затраты на поддержку проекта оценены на уровне 11 млрд юаней (свыше $1 млрд). Тем самым Китай заявляет, что владеет правами на интеллектуальную собственность в области производства многослойной флеш-памяти и может спокойно выходить с этой продукцией на мировой рынок. Мы же напомним, что разработка «национальной» памяти 3D NAND вряд ли была бы выполнена так быстро, если бы не прямая помощь, базовые разработки и патенты американо-японской компании Spansion.