Western Digital заметила выгоду от перехода на выпуск 3D NAND

Как известно, нынешней весной компания Western Digital начала ограниченный выпуск первой в индустрии 64-слойной 512-Гбит 3D NAND TLC (с трёхбитовой ячейкой). Производство 32-слойной 3D NAND оставалось в стадии оценочного и не привело к появлению в продаже SSD или иных накопителей компании с данными чипами памяти. Выпуск 48-слойных микросхем 3D NAND компания довела до серийного производства, хотя его объёмы были и остаются весьма скромными. На основе 48-слойной памяти 3D NAND вышло всего несколько моделей SSD. Так что первой по-настоящему массовой 3D NAND памятью Western Digital станут 64-слойные микросхемы ёмкостью 512 Гбит. На этих микросхемах до конца года компания планирует представить свыше 50 коммерческих продуктов.

Но интересно другое. Руководитель подразделения Western Digital по технологиям памяти — вице-президент компании Шива Шиварам (Siva Sivaram) — признался, что 64-слойные чипы в сочетании с TLC-ячейками стали первыми из 3D NAND компании, которые по себестоимости производства оказались дешевле выпуска планарной 15-нм NAND-флеш. При этом учитывались также затраты на приобретение нового оборудования и расширение мощностей. В это нетрудно поверить, если вспомнить, что компания Samsung первые партии микросхем 3D NAND около года выпускала себе в убыток. Для компании Western Digital выгода от перехода на производство 3D NAND стала ощущаться лишь с началом производства фактически третьего поколения многослойной флеш-памяти.

В ближайшие месяцы Western Digital быстро нарастит объёмы производства 3D NAND. До конца календарного года в объёме всей флеш-продукции компании память 3D NAND будет удерживать на менее 75 %. Поначалу это будут SSD потребительского класса высшей и средней производительности, как, например, анонсированные на Computex 2017 массовые SSD WD Blue 3D NAND SATA и SSD для энтузиастов — SanDisk Ultra 3D. Серверные SSD на 64-слойной памяти требуют особенной верификации и появятся позже.

Конкуренты Western Digital также быстро стремятся перейти на 64-слойную память. Компания Samsung запустила в этом месяце новый завод по производству 64-слойной 256-Гбит 3D NAND TLC, а компания SK Hynix с августа по ноябрь начнёт выпуск 72-слойной 256-Гбит 3D NAND TLC. Компании Micron и Intel также во второй половине года планируют нарастить выпуск 64-слойной памяти, ограниченный выпуск корой они начали в первом квартале текущего года. Все они, надо понимать, начинают получать выгоду от перехода на вертикальные структуры при выпуске NAND-флеш. К сожалению, это не означает, что в обозримом будущем память 3D NAND начнёт дешеветь и её станет много. Если верить отдельным аналитикам, это вряд ли произойдёт до середины следующего года.