3D-NAND

Toshiba выбрала покупателя для производства чипов и это не Western Digital

22.09.2017

3D-NAND, toshiba corporation, western digital, инвестиции, производство микросхем

Муки выбора покупателя на полупроводниковое подразделение компании Toshiba подошли к концу. На совете директоров компании был подтверждён сделанный неделей назад выбор. Покупателем подразделения Toshiba Memory (TMC) определён консорциум во главе с частной инвестиционной компанией из США Bain Capital Private Equity.…

Новые модульные SSD Intel: коннектор SFF-TA-1002 и готовность к PCIe 5.0

11.08.2017

3D-NAND, dell, EDSFF, gen-z, HPE, intel, lenovo, micron, NAND, pci express, pci express 4.0, PCI Express 5.0, pcie, ruler ssd, samsung, SFF-TA-1002, SSD, western digital

Корпорация Intel на этой неделе представила новый форм-фактор для серверных твердотельных накопителей, который может стать стандартом для SSD будущего. Новый дизайн, называемый ruler (линейка, планка), базируется на разрабатываемой сегодня спецификации Enterprise & Datacenter Storage Form Factor (EDSFF) и предназначен для…

WD анонсировала архитектуру X4 3D NAND с 4 битами на ячейку флеш-памяти

25.07.2017

3D-NAND, NAND, SSD, wd, western digital, флеш-память

Твердотельные накопители постоянно развиваются. Очередным шагом, призванным сделать SSD более успешной заменой магнитных жёстких дисков с точки зрения стоимости хранения данных, стала новая разработка Western Digital. Компания сообщила, что с успехом завершила создание архитектуры памяти 4X, с четырьмя битами на…

Цены на память остановят свой рост к концу года

20.07.2017

3D-NAND, DRAM, NAND, nand-память, nand-флеш, аналитика

Несмотря на ограниченные поставки и дефицит, продажи чипов DRAM и NAND (в денежном выражении) до конца года смогут установить новые рекорды, — такой прогноз содержится в аналитическом обзоре компании IC Insights, занимающейся исследованиями рынка. Хорошей же для конечных потребителей новостью…

Apple закупает у Samsung больше памяти для новых iPhone из-за проблем у SK Hynix и Toshiba

07.07.2017

3D-NAND, apple, iphone, samsung, sk hynix, Toshiba, флеш-память

Apple увеличивает закупки памяти Samsung для новых iPhone, поскольку компании SK Hynix и Toshiba не справляются с заказами американской корпорации, сообщает DigiTimes, ссылаясь на источники в отрасли. По их данным, объёмы выпуска чипов 3D NAND Flash на предприятиях SK Hynix…

SK Hynix начала поставки 72-слойной 3D TLC NAND

07.07.2017

3D TLC NAND, 3D-NAND, nand-флеш, sk hynix

Как сообщают отраслевые источники, компания SK Hynix на своём южнокорейском предприятии M12 в Чхонджу приступила к серийному выпуску многослойной (трёхмерной) флеш-памяти четвёртого поколения. Такая NAND-память наделена 72-слойным дизайном и была анонсирована три месяца назад. Теперь же выход годных кристаллов достиг…

Western Digital раньше всех анонсировала 96-слойную 3D NAND

28.06.2017

3D-NAND, BiCS 3D NAND, BICS3, BICS4, QLC NAND, TLC 3D NAND, western digital

Компания Western Digital анонсировала завершение разработки очередного поколения фирменной трёхмерной флеш-памяти (3D NAND), BiCS4, которая характеризуется использованием 96 слоёв транзисторов с ловушкой заряда, расположенных по вертикальной оси. Поставки опытных образцов новой флеш-памяти партнёрам компании начнутся во второй половине текущего года,…

Intel SSD 545s: первый накопитель на 64-слойной 3D TLC NAND

27.06.2017

3D-NAND, intel, silicon motion, SSD, TLC 3D NAND

Компания Intel объявила о выпуске новой модели твердотельного накопителя потребительского уровня, Intel SSD 545s. Этот SSD с SATA-интерфейсом представляет собой первый массовый продукт, в котором используется новая трёхмерная 64-слойная память второго поколения производства IFMT — совместного предприятия Intel и Micron.…

Western Digital заметила выгоду от перехода на выпуск 3D NAND

22.06.2017

3D-NAND, SSD, western digital, производство микросхем

Как известно, нынешней весной компания Western Digital начала ограниченный выпуск первой в индустрии 64-слойной 512-Гбит 3D NAND TLC (с трёхбитовой ячейкой). Производство 32-слойной 3D NAND оставалось в стадии оценочного и не привело к появлению в продаже SSD или иных накопителей…

Samsung приступила к массовому выпуску 256-Гбит 64-слойной 3D NAND TLC

16.06.2017

3D-NAND, samsung electronics, sk hynix, SSD, Toshiba, western digital, производство микросхем

Компания Samsung Electronics в свежем официальном пресс-релизе сообщила о старте серийного производства 64-слойных микросхем флеш-памяти V-NAND (3D NAND) ёмкостью 256 Гбит. Следует уточнить, что ограниченный выпуск 64-слойных микросхем 3D NAND компания Samsung начала в четвёртом квартале прошлого года. Это позволило…

3D-NAND

Toshiba выбрала покупателя для производства чипов и это не Western Digital

Новые модульные SSD Intel: коннектор SFF-TA-1002 и готовность к PCIe 5.0

WD анонсировала архитектуру X4 3D NAND с 4 битами на ячейку флеш-памяти

Цены на память остановят свой рост к концу года

Apple закупает у Samsung больше памяти для новых iPhone из-за проблем у SK Hynix и Toshiba

SK Hynix начала поставки 72-слойной 3D TLC NAND

Western Digital раньше всех анонсировала 96-слойную 3D NAND

Intel SSD 545s: первый накопитель на 64-слойной 3D TLC NAND

Western Digital заметила выгоду от перехода на выпуск 3D NAND

Samsung приступила к массовому выпуску 256-Гбит 64-слойной 3D NAND TLC

Паблик ВКонтакте

Последние посты