3D-NAND

В Китае Samsung приступила к строительству второй линии по выпуску 3D NAND

В Китае Samsung приступила к строительству второй линии по выпуску 3D NAND

28 марта компания Samsung провела торжественное мероприятие по закладке фундамента для второй производственной линии по выпуску памяти 3D NAND в китайском городе Сиань (Xian). Завод Samsung вблизи Сианя компания начала строить в 2012 году с запуском в коммерческую эксплуатацию в…
Читать дальше
Продажа Toshiba Memory может стать жертвой разногласий между США и Китаем

Продажа Toshiba Memory может стать жертвой разногласий между США и Китаем

В эту субботу наступает «дедлайн» для закрытия сделки по продаже подразделения Toshiba Memory консорциуму KK Pangea во главе с частной инвестиционной компанией Bain Capital. Согласно подписанному в сентябре соглашению, сделка должна быть закрыта до конца марта 2018 года. Цена вопроса…
Читать дальше
Для совместного выпуска 3D NAND Intel нашла партнёра в Китае

Для совместного выпуска 3D NAND Intel нашла партнёра в Китае

В январе как гром среди ясного неба прозвучало известие, что 96-слойная память 3D NAND станет последней совместной разработкой компаний Intel и Micron. В настоящий момент партнёры завершили разработку 64-слойной памяти 3D NAND и некоторое время назад приступили к массовому производству…
Читать дальше
Вторая очередь линий Toshiba на заводе Fab 6 начнёт работать в конце 2018 года

Вторая очередь линий Toshiba на заводе Fab 6 начнёт работать в конце 2018 года

Компания Toshiba выпустила пресс-релиз, в котором сообщила о начале закупок необходимого промышленного оборудования для оснащения «чистой комнаты» для второй очереди линий на заводе Fab 6. На эти цели компания выделила 27 млрд иен ($250 млн). На эти деньги будет развёрнута…
Читать дальше
Мир перевернулся: Apple ведёт переговоры о закупках памяти у китайцев

Мир перевернулся: Apple ведёт переговоры о закупках памяти у китайцев

Японское информационное агентство Nikkei опубликовало невероятную новость. Сообщается, что Apple ведёт переговоры о закупках памяти у китайского производителя. Этого самого производителя ещё нет, и появится он не завтра и даже не послезавтра. Во всяком случае, если говорить о масштабах закупок…
Читать дальше
SK Hynix выпускает eSSD на 72-слойных чипах 3D NAND

SK Hynix выпускает eSSD на 72-слойных чипах 3D NAND

Финансовые неурядицы Hynix (позднее — SK Hynix) на рубеже десятилетий стали одной из причин, по которой компания с опозданием включилась в борьбу за сколько-нибудь значительную долю рынка NAND флеш-памяти. Тем не менее южнокорейский вендор прилагает все усилия, чтобы упрочить свои позиции.…
Читать дальше
Китайский производитель памяти ополчился на Micron

Китайский производитель памяти ополчился на Micron

«После ряда слияний и приобретений глобальная индустрия по производству памяти развилась в олигополистический рынок, который международные гиганты собираются контролировать путём намеренного создания технологической блокады и чинят препятствия развитию китайских производителей памяти. Это серьёзно ослабляет принципы рыночной экономики и реализацию национальной…
Читать дальше
UMC направила иск с просьбой уничтожить производство памяти Micron в Китае

UMC направила иск с просьбой уничтожить производство памяти Micron в Китае

На днях третий в мире по величине контрактный производитель полупроводников тайваньская компания United Microelectronics Corporation (UMC) обвинила американскую компанию Micron в нарушении ряда патентов на производство памяти и продукции на её основе. В нарушении патентов обвинены китайские подразделения Micron в…
Читать дальше
Intel способна взорвать мировой рынок флеш-памяти NAND

Intel способна взорвать мировой рынок флеш-памяти NAND

Ранее на этой неделе мы сообщали, что компании Intel и Micron меняют отношение к совместной разработке энергонезависимой памяти 3D NAND. Партнёры по совместному предприятию IM Flash Technologies (IMFT) до конца текущего года представят созданную ими 3D NAND третьего поколения (96-слойную),…
Читать дальше
Micron и Intel прекращают совместную разработку памяти 3D NAND

Micron и Intel прекращают совместную разработку памяти 3D NAND

Компании Micron и Intel опубликовали совместный пресс-релиз, в котором сообщили о намерении прекратить совместную разработку многослойной флеш-памяти 3D NAND. В настоящий момент партнёры начинают наращивать производство фирменной 3D NAND второго поколения — это 64-слойные микросхемы. Третье совместно разработанное поколение 3D…
Читать дальше