В Китае Samsung приступила к строительству второй линии по выпуску 3D NAND

28 марта компания Samsung провела торжественное мероприятие по закладке фундамента для второй производственной линии по выпуску памяти 3D NAND в китайском городе Сиань (Xian). Завод Samsung вблизи Сианя компания начала строить в 2012 году с запуском в коммерческую эксплуатацию в 2014 году. К нынешнему дню предприятие каждый месяц обрабатывает порядка 120 тыс. 300-мм пластин с памятью 3D NAND. Производственные здания занимают площадь 230 тыс. м², а весь комплекс расположен на 1,14 млн м², так что Samsung есть куда расширяться.

До 2020 года в строительство второй очереди линий Samsung вложит около 8 трлн вон (примерно $7,47 млрд). Первая коммерческая продукция на второй линии начнёт выходить в следующем году. Проектная мощность второй линии составит 100 тыс. 300-мм подложек в месяц, что доведёт суммарную мощность завода компании в Китае до 220 тыс. 300-мм кремниевых пластин с памятью 3D NAND в каждый месяц.

Для китайской общественности завод Samsung в Сиане играет особую роль. В этом городе родился действующий Президент страны Синь Цзиньпин. Новые инвестиции Samsung в завод станут крупнейшими за время его руководства страной в течение первого и второго сроков правления.

Расширения завода по выпуску памяти 3D NAND позволит компании Samsung оставаться мировым лидером рынка с долей порядка 38 %. В текущем году ожидается рост продаж 3D NAND до пикового уровня в $59,2 млрд. До 2021 года, уверены аналитики компании IHS (подразделения Markit), стоимость мирового рынка памяти 3D NAND каждый год будет превышать $50 млрд. Сегодня память 3D NAND находится в состоянии небольшого превышения спроса над предложением, что стимулирует дальнейший рост цен на неё. Поэтому новые линии Samsung не только помогут компании укрепить положение на рынке, но и поспособствуют стабилизации цен на флеш-память.