mram

В рамках международной конференции IEDM 2021 которая прошла на этой неделе компания Renesas Electronics объявила о разработке двух технологий, которые сокращают время подачи напряжения при операции записи в магниторезистивную память с произвольным доступом, в которой используется эффект передачи момента (STT-MRAM). Как утверждается, в связи с ускоренным распространением IoT в последние годы возник большой спрос на...

Когда я писал в начале года статью “Кто есть кто в мировой микроэлектронике”, меня удивило, что в десятке самых больших полупроводниковых компаний пять занимаются производством памяти, в том числе две – только производством памяти. Общий объем мирового рынка полупроводниковой памяти оценивается в 110 миллиардов долларов и является постоянной головной болью участников и инвесторов, потому что,...

Компания Globalfoundries (GF) объявила о выпуске встроенной магниторезистивной энергонезависимой памяти (eMRAM) на фирменной 22-нанометровой технологической платформе FD-SOI (22FDX). Контрактный производитель полупроводниковой продукции уже работает с несколькими клиентами, которые выбрали эту eMRAM для интеграции в свои изделия. Они должны быть переданы в производство в текущем году. По словам GF, это значительная веха для отрасли. Она показывает...

Третий в мире по величине контрактный производитель полупроводников тайваньская компания United Microelectronics Corporation (UMC) сообщил о заключении технологического партнёрства с американским разработчиком энергонезависимой памяти STT-MRAM (Spin Transfer Torque Magnetic RAM) компанией Avalanche Technology. Согласно договору, UMC сможет выпускать для заказчиков контроллеры и SoC с памятью MRAM на основе доступных по стоимости пакетов лицензирования Avalanche. За...

Все предыдущие годы главными шагами по развитию производства полупроводников оставалась смена масштаба технологических норм. Сегодня, когда уменьшить размер элемента на кристалле становится предельно трудно, популярность обретают обходные пути, в частности, переход на полупроводниковые пластины с изолирующим слоем из полностью обеднённого кремния или FD-SOI. Пластины FD-SOI в производстве уже активно использует компания STMicroelectronics и готовятся использовать...

На сегодня наибольшего прогресса в деле освоения производства такого нового типа энергонезависимой памяти, как MRAM (магниторезистивная память), добилась компания GlobalFoundries. В октябре 2014 года GlobalFoundries заключила договор на внедрение в производство памяти ST MRAM (Spin-Torque MRAM), которую разработала компания Everspin Technologies. Это память с записью данных в ячейку с помощью переноса спина электрона на основе...

Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), по информации сетевых источников, намерена организовать производство чипов памяти нового поколения. Речь идёт об изделиях MRAM и RRAM для встраиваемых устройств. Напомним, что MRAM — это магниторезистивная память с произвольным доступом: информация в данном случае хранится при помощи магнитных моментов, а не электрических зарядов. Что касается RRAM, то это резистивная...