mram

Разработанные Renesas технологии записи во встроенную память STT-MRAM позволяют значительно снизить энергопотребление микроконтроллеров в приложениях IoT

19.12.2021

В рамках международной конференции IEDM 2021 которая прошла на этой неделе компания Renesas Electronics объявила о разработке двух технологий, которые сокращают время подачи напряжения при операции записи в магниторезистивную память с произвольным доступом, в которой используется эффект передачи момента (STT-MRAM).…

Вспомнить всё. Разбираемся в полупроводниковой памяти

29.12.2020

DRAM, eeprom, fram, mram, pcm, sram, SSD, память

Когда я писал в начале года статью “Кто есть кто в мировой микроэлектронике”, меня удивило, что в десятке самых больших полупроводниковых компаний пять занимаются производством памяти, в том числе две – только производством памяти. Общий объем мирового рынка полупроводниковой памяти…

Everspin и GlobalFoundries продлили соглашение о совместной разработке MRAM до норм 12 нм

13.03.2020

mram

Компания Everspin Technologies сообщила о дополнении соглашения с GlobalFoundries (GF), предусматривающего совместную разработку магниторезистивной памяти с переносом момента (Spin-Transfer Torque MRAM или STT-MRAM). Компании Everspin и GF выступали партнерами по разработке и производству STT-MRAM по нормам 40 нм, 28 нм…

У Globalfoundries готова для производства первая в отрасли память eMRAM на платформе 22FDX для IoT и автомобильной промышленности

29.02.2020

GlobalFoundries, mram

Компания Globalfoundries (GF) объявила о выпуске встроенной магниторезистивной энергонезависимой памяти (eMRAM) на фирменной 22-нанометровой технологической платформе FD-SOI (22FDX). Контрактный производитель полупроводниковой продукции уже работает с несколькими клиентами, которые выбрали эту eMRAM для интеграции в свои изделия. Они должны быть переданы…

Представлена первая в мире микросхема памяти Toggle MRAM объемом 32 Мбит

30.10.2019

everspin, mram

Компания Everspin Technologies, ведущий разработчик и производитель энергонезависимой магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM), анонсировала первую в мире микросхему Toggle MRAM объемом 32 Мбит. Эта микросхема, получившая обозначение MR5A16A, вдвое вместительнее уже выпускаемой микросхемы объемом 16 Мбит. Она предназначена для…

UMC получает доступ к технологиям производства встраиваемой памяти MRAM

08.08.2018

mram, umc, производство микросхем, техпроцессы

Третий в мире по величине контрактный производитель полупроводников тайваньская компания United Microelectronics Corporation (UMC) сообщил о заключении технологического партнёрства с американским разработчиком энергонезависимой памяти STT-MRAM (Spin Transfer Torque Magnetic RAM) компанией Avalanche Technology. Согласно договору, UMC сможет выпускать для заказчиков…

GlobalFoundries предлагает эталонные 22-нм контроллеры с eMRAM

05.03.2018

GlobalFoundries, mram, производство микросхем, энергонезависимая память

Многолетнее партнёрство компании GlobalFoundries и разработчика магниторезистивной памяти eMRAM и MRAM компании Everspin Technologies уже вылилось в производство 40-нм чипов энергонезависимой памяти типа ST MRAM (Spin-Torque MRAM). На линиях GlobalFoundries выпускаются массовые 256-Мбит 40-нм микросхемы ST MRAM и опытные 1-Гбит…

Samsung первой приблизилась к выпуску 28-нм eMRAM на подложках FD-SOI

27.09.2017

GlobalFoundries, mram, samsung electronics, производство микросхем

Все предыдущие годы главными шагами по развитию производства полупроводников оставалась смена масштаба технологических норм. Сегодня, когда уменьшить размер элемента на кристалле становится предельно трудно, популярность обретают обходные пути, в частности, переход на полупроводниковые пластины с изолирующим слоем из полностью обеднённого…

GlobalFoundries готовится выпускать 22-нм контроллеры с памятью eMRAM

22.09.2017

GlobalFoundries, mram, контроллеры, производство микросхем

На сегодня наибольшего прогресса в деле освоения производства такого нового типа энергонезависимой памяти, как MRAM (магниторезистивная память), добилась компания GlobalFoundries. В октябре 2014 года GlobalFoundries заключила договор на внедрение в производство памяти ST MRAM (Spin-Torque MRAM), которую разработала компания Everspin…

TSMC займётся производством микрочипов памяти eMRAM и eRRAM

06.06.2017

mram, rram, tsmc, микрочип, память, производство, производство микросхем

Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), по информации сетевых источников, намерена организовать производство чипов памяти нового поколения. Речь идёт об изделиях MRAM и RRAM для встраиваемых устройств. Напомним, что MRAM — это магниторезистивная память с произвольным доступом: информация в данном случае…

mram

Разработанные Renesas технологии записи во встроенную память STT-MRAM позволяют значительно снизить энергопотребление микроконтроллеров в приложениях IoT

Вспомнить всё. Разбираемся в полупроводниковой памяти

Everspin и GlobalFoundries продлили соглашение о совместной разработке MRAM до норм 12 нм

У Globalfoundries готова для производства первая в отрасли память eMRAM на платформе 22FDX для IoT и автомобильной промышленности

Представлена первая в мире микросхема памяти Toggle MRAM объемом 32 Мбит

UMC получает доступ к технологиям производства встраиваемой памяти MRAM

GlobalFoundries предлагает эталонные 22-нм контроллеры с eMRAM

Samsung первой приблизилась к выпуску 28-нм eMRAM на подложках FD-SOI

GlobalFoundries готовится выпускать 22-нм контроллеры с памятью eMRAM

TSMC займётся производством микрочипов памяти eMRAM и eRRAM

Паблик ВКонтакте

Последние посты