fd-soi

GlobalFoundries отмечает рост заявок на техпроцесс 22FDX

GlobalFoundries отмечает рост заявок на техпроцесс 22FDX

Буквально месяц назад стало известно, что компания STMicroelectronics отказалась от внедрения техпроцессов с нормами 22 нм на пластинах FD-SOI (кремний на изоляторе с полностью обеднённым слоем). Чипы с нормами 28-нм на пластинах FD-SOI она выпускала либо самостоятельно, либо частично размещала…
Читать дальше
GlobalFoundries будет выпускать 22-нм продукты STMicroelectronics

GlobalFoundries будет выпускать 22-нм продукты STMicroelectronics

Франко-итальянская компания STMicroelectronics одной из первых приступила к производству полупроводников с технологическими нормами 28 нм на пластинах из полностью обеднённого кремния на изолирующем слое (FD-SOI, fully depleted silicon-on-insulator). Пластины FD-SOI позволяют создавать транзисторы со значительно меньшими токами утечек, что даёт…
Читать дальше
GlobalFoundries и Soitec заключили 5-летний договор на поставку пластин FD-SOI

GlobalFoundries и Soitec заключили 5-летний договор на поставку пластин FD-SOI

Похоже, компания GlobalFoundries видит большие перспективы для производства полупроводников на кремниевых пластинах типа FD-SOI (fully depleted silicon-on-insulator). Пластины FD-SOI — это подложки с очень тонким изолирующим слоем из полностью обеднённого кремния. Они лучше справляются с токами утечек по сравнению с…
Читать дальше
Intel предложила 22-нм «аналог» техпроцесса 14 нм FinFET

Intel предложила 22-нм «аналог» техпроцесса 14 нм FinFET

Техпроцессы с нормами 14 нм и транзисторами FinFET считаются достаточно дорогими решениями для массового использования. В то же время 14-нм FinFET полупроводники выгодно отличаются своими характеристиками от чипов с планарными транзисторами, выполненными с технологическими нормами 28 нм. Это снова заставляет…
Читать дальше
GlobalFoundries раскрывает планы на будущее: 7 нм в 2018 году

GlobalFoundries раскрывает планы на будущее: 7 нм в 2018 году

GlobalFoundries недавно обнародовала первые подробности о своём технологическом процессе следующего поколения — 7 нм, которое начнёт применяться в 2018 году. Первоначально GlobalFoundries продолжит использовать иммерсионную литографию и эксимерный лазер с длиной волны 193 нм (deep ultraviolet, DUV) для производства микросхем…
Читать дальше
GlobalFoundries добавила 12-нм нормы в свои планы развития FD-SOI

GlobalFoundries добавила 12-нм нормы в свои планы развития FD-SOI

При мысли о компании GlobalFoundries у большинства сегодня возникает ассоциация с её 14-нм производственными нормами на основе транзисторов FinFET, по которым производятся чипы для видеокарт AMD Polaris. Но это лишь один из техпроцессов, которые GlobalFoundries предлагает своим клиентам. Например, другими…
Читать дальше