Это вторая часть статьи про историю микропроцессоров для космического применения. Первая часть – вот здесь. В ней на примерах американских и европейских микросхем мы посмотрели на историю развития радстойких чипов от первых однокристалльных процессоров до конца двухтысячных, когда проектные нормы космических разработок плотную подобрались к рубежу 100 нм. Следующий большой шаг в обеспечении радиационной стойкости...
Десятого июля 1962 года с космодрома на мысе Канаверал стартовала ракета “Тор” с первым коммерческим телекоммуникационным спутником на борту. Telstar-1 стал зарей новой эры космонавтики, показавшей, что космос может приносить людям реальную пользу. Этот аппарат ждало большое будущее, но днем раньше в небе над атоллом Джонсон, расположенном в пустынной части Тихого океана, взорвалась атомная бомба...
В сентябре прошлого года компания GlobalFoundries приступила к распространению инструментов для разработчиков радиочастотных чипов для выпуска решений на подложках типа кремний на изоляторе (SOI). Подложки SOI хорошо подходят для производства чипов с поддержкой высокочастотных режимов. Дополнительный слой изолятора открывает возможность для повышения тактовой частоты транзисторов без значительного увеличения токов утечек. Это особенно важно в ожидании...
Так исторически сложилось, что компания GlobalFoundries унаследовала от компании AMD производство на подложках в виде кремния на изоляторе или SOI. Дополнительный слой изолятора снижал паразитные утечки в микросхемах и позволял добиваться высоких показателей (частот и эффективности потребления) без перехода на более тонкие техпроцессы. Десять–пятнадцать лет назад процессоры AMD успешно эксплуатировали эту технологию и ничем не...
При мысли о компании GlobalFoundries у большинства сегодня возникает ассоциация с её 14-нм производственными нормами на основе транзисторов FinFET, по которым производятся чипы для видеокарт AMD Polaris. Но это лишь один из техпроцессов, которые GlobalFoundries предлагает своим клиентам. Например, другими популярными нормами являются 22-нм 22FDX на основе планарных транзисторов и технологии полностью обеднённого кремния на...
