euv

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства 14-нанометровой памяти DRAM с применением фотолитографии в жёстком ультрафиолетовом диапазоне (EUV). В марте прошлого года компания поставила первую в отрасли память EUV DRAM. С тех пор количество слоев, формируемых с помощью EUV, увеличено до пяти. По словам производителя, это наиболее передовой техпроцесс в отрасли. Он обеспечивает максимальную...

Будущий сканер ASML с высокой числовой апертурой 0,55 (high-NA EUV) стоимостью примерно $300 млн. Источник: презентация ASML Голландская компания ASML — монополист на рынке оборудования для фотолитографии в глубоком ультрафиолете (EUV) с запасом технологического лидерства на несколько лет перед конкурентами. Поэтому задержка следующего поколения сканеров не отразится на прибыли компании, считают источники Seeking Alpha. Даже...

Компания ASML завершила разработку пелликул, подходящих для фотолитографии в жестком ультрафиолетовом диапазоне (EUV). Пелликулами называются ультратонкие прозрачные мембраны для защиты фотошаблонов от попадания на них частиц, которые приводят к появлению дефектов в чипах. В отсутствие пелликул производителям, уже использующим EUV, приходилось мириться с потенциально низким выходом годной продукции и увеличением затрат на очистку масок и...

Компания Samsung Electronics объявила, что на ее второй производственной линии в Пхёнтхэке, Корея, началось массовое производство первых в отрасли 16-гигабитных чипов мобильной памяти DRAM LPDDR5. Это первая в отрасли оперативная память LPDDR5 DRAM, изготовленная по технологии третьего поколения 10-нанометрового класса (1z). В ее производстве используется EUV-литография. Поддерживая скорость 6400 Мбит/с, новая память LPDDR5 примерно на...

На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового производства. Линии с таким...