Snapdragon 8 Gen 5 представят 26 ноября: уступает Elite Gen 5, но остаётся сверхбыстрым
Фото Qualcomm
Компания Qualcomm официально объявила, что дебют Snapdragon 8 Gen 5 пройдёт 26 ноября в Китае. Этот чип займет позицию непосредственно под флагманским Snapdragon 8 Elite Gen 5 — то есть сохранит статус премиального решения, но без предельных частот и расширенного набора возможностей старшей модели.
По предварительным данным, ядра Oryon, произведённые по 3-нм техпроцессу, легли в основу архитектуры: главное ядро функционирует на частоте до 3,8 ГГц, «производительные» ядра способны разгоняться до 3,32 ГГц. Графику обеспечивает Adreno 840 — тот же GPU, что и у Elite, но с тактовой частотой до 1,2 ГГц.
Согласно инсайдерским данным, чип набирает свыше 3,3 млн баллов в AnTuTu, около 3000 и 10 000 очков в одноядерном и многоядерном тестах Geekbench 6, а в Aztec 1440p выдает порядка 100 кадров/с. Процессорная производительность приблизится к уровню прошлогоднего Snapdragon 8 Elite, тогда как в графике он слегка отстанет.
Первыми смартфонами на базе Snapdragon 8 Gen 5, как ожидается, станут OnePlus Ace 6T и Vivo S50 Pro Mini — оба выйдут до конца года. Honor также готовит модель GT 2 с этим решением: её презентация запланирована на декабрь или январь.
Источник: iXBT
Эксперт по кибербезопасности: телевизоры Samsung на Tizen ведут масштабную слежку за владельцами, и это может вызывать «тормоза» в работе ТВ
Четырёхкратный скачок за год: 256-гигабайтные SSD дорожают, и рост цен может продолжиться
Очень мощная башня с пятилетней гарантией и весом 1,5 кг: DeepCool показала башенный кулер StationX 622, рассчитанный на отвод до 540 Вт
Thermalright выпустила СЖО с изогнутым AMOLED-дисплеем 2400 × 1080 и «эффектом парения»
Мини-ПК размером с карманный по цене бюджетного смартфона: Acemagic W1-5400U с богатым набором портов обойдётся всего в $235
OnePlus Ace 7 Pro получит аккумулятор на 9000 мАч, 100-ваттную зарядку, голубой корпус и настраиваемую подсветку
Роботы научились прыгать и хватать предметы благодаря живым мышцам: био-гибридный прорыв ETH Zurich
Micron вдвое увеличила плотность флеш-памяти и преодолела порог в 400 слоёв NAND