Ученые Института наук о жизни (Institute of Life Science, ILS) при Университете в Суонси (Великобритания) сообщили о планах начать в течение ближайших 12 месяцев тестирование «умных» бинтов, которые будут определять прогресс в заживлении раны и отправлять сообщения врачам.

Сообщается, что смарт-бинты, изготовленные с помощью 3D-печати, будут использовать в режиме реального времени беспроводную технологию 5G, а также наноразмерные датчики для управления процессом лечения и отслеживания уровня активности пациента. Датчики разрабатывают эксперты по нанотехнологии, а изготавливать смарт-бинты будут на имеющихся у ILS 3D-принтерах, что позволит снизить их стоимость.
«Благодаря наличию объединённых данных врач будет знать состояние раны в любое конкретное время, и затем сможет адаптировать протокол лечения с учётом состояния человека и раны, о которой идет речь», — заявил профессор Марк Клемент (Marc Clement), глава ILS. Он добавил, что традиционная медицина может использоваться там, где врач сможет осмотреть пациента и назначить лечение на дальнейшие 1–3 месяца.
Getty Images
Профессор также сообщил, что в создании смарт-бинтов участвуют специалисты центра Welsh Wound Innovation Centre, а их тестирование планируют проводить на юго-западе Уэльса в рамках проекта A Regional Collaboration for Health (ARCH), нацеленного на объединение достижений медицины и науки в единое целое.
Глава Nvidia призвал не душить ИИ, повторив ошибки 80-х, и получил полную поддержку Илона Маска
Samsung расширит список устройств с поддержкой One UI 9.0, включив в него Galaxy S25
Почему SpaceX променяла углеродное волокно на нержавейку для Starship: объяснение Илона Маска
MSI Pro Max Edge AI+: анонсирован мини-ПК с «телефонным» именем
Россияне массово переходят на BiP и KakaoTalk на фоне спада популярности Telegram и Max
Redmi K100 оснастят экраном 185 Гц, перископом и звуком Bose с тремя динамиками
Starship впервые успешно вывел на связь все 20 спутников Starlink V3 и собрал ценные данные
Honor Power 3: в Китае готовится планшет-монстр с батареей на 10 000+ мАч