Samsung начала выпуск 8-Гбайт памяти HBM2 с наивысшей скоростью обмена

Компания Samsung Electronics сообщила о начале производства второго поколения памяти HBM2 в виде чипов ёмкостью 8 Гбайт (не путать с HBM). Память HBM2 Samsung первого поколения в 8-Гбайт чипах выпускается больше года. Она распространяется под торговой маркой Flarebolt. Чипы HBM2 второго поколения объёмом 8 Гбайт компания Samsung будет распространять под именем Aquabolt. Отличительной особенностью HBM2 Aquabolt от HBM2 Flarebolt станет увеличенная примерно на 50 % скорость обмена данными по каждому контакту.

Чип (стек) Samsung HBM2 Aquabolt (второе поколение 8-Гбит памяти HBM2)

Чипы Samsung HBM2 первого поколения обеспечивали скорость обмена 1,6 Гбит/с на контакт при напряжении питания 1,2 В. При напряжении питания 1,35 В скорость обмена росла до 2 Гбит/с. Микросхемы Samsung HBM2 второго поколения могут похвастаться скоростью обмена на уровне 2,4 Гбит/с на контакт при напряжении питания 1,2 В или 307 Гбайт/с на чип, что в 9,6 раз быстрее скорости обмена с 8-Гбит чипом GDDR5 с производительностью 8 Гбит/с на контакт (32 Гбайт/с). Рост производительности сборок HBM2 с радостью примут производители решений для ИИ, ускорителей вычислений и разработчики графических процессоров.

Изображение GPU AMD Vega с двумя 8-Гбайт чипами Samsung HBM2 первого поколения

Стек Aquabolt HBM2 8 Гбайт состоит из восьми 8-Гбит кристаллов, соединённых сквозными TSVs-соединениями. В каждом кристалле имеется свыше 5000 сквозных отверстий с металлизацией. Для улучшения отвода тепла от каждого слоя Samsung увеличила в чипах число специальных теплоотводных буферов-прослоек. Это, а также определённые схемотехнические решения, позволили снизить расфазировку синхронизирующих импульсов управляющих сигналов и поднять скорость обмена по контакту до заявленной рекордной отметки 2,4 Гбит/с. Дополнительно внизу каждого стека теперь предусмотрено усиленное основание. Это повысит механическую прочность стека, что важно с учётом опасности сколов.