Первые смартфоны на Snapdragon 8 Gen 5 получат металлический корпус и влагозащиту: версии с АКБ свыше 8000 мА·ч, 165 Гц экраном и перископными камерами
Изображение Midjourney
Авторитетный инсайдер Digital Chat Station раскрыл информацию о свежих смартфонах на чипе Snapdragon 8 Gen 5. По его данным, эти аппараты будут относиться к более высокой категории по сравнению с решениями на базе Snapdragon 8s Gen 4.
Первые устройства обзаведутся металлическим корпусом, ультразвуковым сканером отпечатков и полноценной влагозащитой, которая станет неотъемлемой особенностью этой серии.
Ассортимент будет включать флагманские решения с дисплеями частотой до 165 Гц и аккумуляторами свыше 8000 мА·ч, а также более компактные форм-факторы с плоским экраном и перископными камерами. Производители намерены охватить разнообразные сегменты рынка.
В дальнейшем выйдут и складные устройства с крупными дисплеями, стоимость которых, по оценке источника, составит примерно 10 000 юаней (около 1 400 долларов). Несколько китайских брендов уже разрабатывают такие модели.
Стоит отметить, что Digital Chat Station первым раскрыл точные спецификации Xiaomi 15 и Xiaomi 15 Pro, а также анонсировал, что Realme GT 7 Pro получит яркий Samsung-дисплей и что чип Dimensity 9400 дебютирует раньше, чем Snapdragon 8 Elite.
Источник: iXBT
OnePlus Ace 7 Pro получит аккумулятор на 9000 мАч, 100-ваттную зарядку, голубой корпус и настраиваемую подсветку
Роботы научились прыгать и хватать предметы благодаря живым мышцам: био-гибридный прорыв ETH Zurich
Micron вдвое увеличила плотность флеш-памяти и преодолела порог в 400 слоёв NAND
Corsair научила блок питания аварийно отключать видеокарту, чтобы защитить разъём от оплавления
Впервые лазер смог превратить плазму в передатчик радиосигнала
Ноутбук толщиной 1,8 см с 128 ГБ памяти и графикой Blackwell: представлен Dell XPS 16 Creator Edition
inDrive запустит роботакси в Астане в 2027 году и попробует потеснить Uber, несмотря на 40-градусные морозы
Blackview показала неубиваемый смартфон с 225-кратным зумом и батареей на 12 000 мА·ч