Так исторически сложилось, что компания GlobalFoundries унаследовала от компании AMD производство на подложках в виде кремния на изоляторе или SOI. Дополнительный слой изолятора снижал паразитные утечки в микросхемах и позволял добиваться высоких показателей (частот и эффективности потребления) без перехода на более тонкие техпроцессы. Десять–пятнадцать лет назад процессоры AMD успешно эксплуатировали эту технологию и ничем не уступали процессорам Intel, выпущенным на пластинах из обычного монолитного кремния.
В GlobalFoundries не забыли о SOI и готовятся выпускать полупроводники как на обычных SOI-пластинах, так и на пластинах с полностью обеднённым слоем кремния — FD-SOI. Техпроцессы SOI и FD-SOI компания адаптировала к нормам производства 22 нм и готовит 12-нм техпроцесс. Помимо заводов компании в Германии и в США, включая бывшие заводы компании IBM, для которых использование пластин SOI также является родным, обработка SOI-пластин будет внедрена на строящемся заводе в Китае (войдёт в строй в 2019 году). Наконец, компания модернизирует предприятие в Сингапуре, чтобы там можно было выпускать на пластинах SOI радиочастотные полупроводники или RF-SOI.
Пример RF-блоков, которые можно выпускать на пластинах SOI (кроме передатчика)
Для проектирования радиочастотных компонентов для производства на пластинах RF-SOI компания представила набор для разработчиков RF SOI Process Design Kit (7SW SOI PDK). Уникальной особенностью данного комплекта стало то, что он включает набор инструментов SiPEX французской компании Coupling Wave Solutions (CWS). С помощью пакета SiPEX можно не только проектировать комплексные высокочастотные радио-модули, но также проводить тестирование проектов (эмуляцию) с учётом особенностей пластин SOI. Утверждается, что симуляция и снятие реальных характеристик с выпущенных чипов практически не имеют расхождений в показаниях. Иными словами, опытный и массовый кремний не преподнесёт разработчикам цифрового проекта неприятных сюрпризов.
Красным обведены RF-блоки для Apple iPhone 4, все они могут стать интегрированными благодаря RF SOI
С помощью набора 7SW SOI PDK можно проектировать компактные и интегрированные высокочастотные тракты для мобильных устройств миллиметрового диапазона, для сетей 5G и других высокочастотных устройств. Это коммутаторы, усилители мощности, входные усилители с низким уровнем собственных шумов, другое. Всё это будет востребовано для сотовых устройств, вещей с подключением к Интернету, Wi-Fi и для целого спектра других коммуникационных решений.
Источник:
Источник: 3DNews
