Революция в производстве 3D-чипов: новый метод обеспечил выход годных изделий до 100%
Команда специалистов из Иллинойсского университета в Урбане-Шампейне представила инновационный метод вертикального наслоения высокотехнологичных полупроводниковых схем. Данное достижение открывает перед индустрией микроэлектроники путь к дальнейшему росту вычислительных мощностей без необходимости в бесконечной миниатюризации транзисторов, возможности которой практически исчерпаны. 200-миллиметровая кремниевая пластина с многослойной структурой. Фото: Иллинойсский университет в Урбане-Шампейне Эта разработка призвана преодолеть кризис, возникший из-за...








%200-3%20screenshot_large.jpg)
