Компания Samsung расширяет ассортимент твердотельных накопителей серии 990, готовя к выпуску новую модель с интерфейсом PCIe 4.0 NVMe. Предстоящая новинка позиционируется как более бюджетная альтернатива флагманским 990 PRO и 990 EVO. Согласно сведениям, которые ранее появились в канадском представительстве Samsung, устройство будет лишено выделенного DRAM-кэша.
Взамен аппаратного кэша накопитель полагается на технологию Host Memory Buffer (HMB), позволяющую использовать ресурсы системной оперативной памяти для оптимизации работы с данными. В архитектуре SSD задействованы проприетарный контроллер Samsung и высокопроизводительные чипы V-NAND.
В серию войдут модели емкостью 1 и 2 ТБ. Вариант на 1 ТБ демонстрирует последовательную скорость чтения до 7150 МБ/с и записи до 6450 МБ/с. Старшая версия на 2 ТБ чуть эффективнее в операциях чтения — до 7250 МБ/с при идентичной скорости записи. Показатели быстродействия достигают 850 тысяч IOPS при чтении и 1,2 миллиона IOPS при записи.
В сравнении с 990 PRO, новинка обладает меньшим ресурсом перезаписи: для модели объемом 1 ТБ он составляет 400 TBW, а для 2-терабайтной версии — 800 TBW. Кроме того, на устройство распространяется трехлетняя гарантия, что скромнее стандартных условий для топовых линеек компании.
Официальные данные о стоимости и сроках появления накопителя в продаже пока не раскрыты. Хотя информация была оперативно удалена с сайта производителя, следы новинки уже успели заметить в базах некоторых розничных сетей.
Источник: iXBT
