SK Hynix и Toshiba создали модуль памяти STT-MRAM ёмкостью 4 Гбит
Компании SK Hynix и Toshiba отрапортовали о новых достижениях в разработке магниторезистивной памяти (MRAM). Информация в MRAM хранится при помощи магнитных моментов, а не электрических зарядов. Магнитные элементы сформированы из двух ферромагнитных слоёв, разделённых тонким слоем диэлектрика. Один из слоёв…
Читать дальше

![[Перевод] Спасибо за память: как дешёвая память меняет вычисления [Перевод] Спасибо за память: как дешёвая память меняет вычисления](https://habrastorage.org/getpro/geektimes/post_images/6d0/366/746/6d0366746be6a51ea142e6a083b321ac.jpg)

