mram

SK Hynix и Toshiba создали модуль памяти STT-MRAM ёмкостью 4 Гбит

SK Hynix и Toshiba создали модуль памяти STT-MRAM ёмкостью 4 Гбит

Компании SK Hynix и Toshiba отрапортовали о новых достижениях в разработке магниторезистивной памяти (MRAM). Информация в MRAM хранится при помощи магнитных моментов, а не электрических зарядов. Магнитные элементы сформированы из двух ферромагнитных слоёв, разделённых тонким слоем диэлектрика. Один из слоёв…
Читать дальше
[Перевод] Спасибо за память: как дешёвая память меняет вычисления

[Перевод] Спасибо за память: как дешёвая память меняет вычисления

mram, nvram, ram, память
Ранний Micron DRAM, ёмкость 1 Мбит RAM (random access memory, запоминающее устройство с произвольным доступом) присутствует в любой компьютерной системе, от небольших встроенных контроллеров до промышленных серверов. Данные хранятся в SRAM (статической RAM) или DRAM (динамической RAM), пока процессор работает…
Читать дальше
IBM и Samsung разработали 11-нм память STTMRAM

IBM и Samsung разработали 11-нм память STTMRAM

В этом месяце IBM отметила 20-летний юбилей проекта разработки магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM). Изначально цель ставилась в управлении ячейкой при помощи электромагнитного поля. Сейчас проект трансформировался в разработку ячейки памяти с записью информации при помощи передачи момента вращения…
Читать дальше
Выпуск 256-Мбит памяти MRAM повысит надёжность работы SSD

Выпуск 256-Мбит памяти MRAM повысит надёжность работы SSD

Слабым местом накопителей на твердотельной памяти или SSD остаётся кеш-буфер из памяти типа DRAM. В настоящий момент в качестве буферной памяти широко используются микросхемы памяти DDR3. Давно планируется, что в качестве энергонезависимого буфера SSD будет использоваться какой-то из новых и…
Читать дальше