Samsung приближается к технологическому барьеру производства DRAM
При переходе с производства 40-нм микросхем памяти DRAM на 30-нм линейные размеры элементов на кристалле последовательно получалось уменьшать на 5–10 нм. Во время выпуска 20-нм DRAM шаг снижения масштаба технологических норм снижался на 2–3 нм. На этом этапе, например, производители…
Читать дальше