18 нм

Samsung приближается к технологическому барьеру производства DRAM

Техника и IT20.04.2017

При переходе с производства 40-нм микросхем памяти DRAM на 30-нм линейные размеры элементов на кристалле последовательно получалось уменьшать на 5–10 нм. Во время выпуска 20-нм DRAM шаг снижения масштаба технологических норм снижался на 2–3 нм. На этом этапе, например, производители памяти в массе отказались приводить точное значение технологических норм, перейдя на термин «класс». Так, 20-нм...

Планы SK Hynix на этот год: 18-нм DRAM, 72-слойная 3D NAND, расширение фабрики M14

Техника и IT28.01.2017

SK Hynix на этой неделе опубликовала финансовые результаты за 2016 год, а также рассказала о планах на 2017. Как и ожидалось, компания намерена начать массовое производство новых типов памяти и расширить производственные мощности. Примечательно то, что в краткосрочной перспективе SK Hynix намеревается вкладывать средства в увеличение производства NAND флеш-памяти, но не в увеличение выпуска DRAM....