SK Hynix договорилась построить в Китае второй завод по выпуску DRAM

Как справедливо заметили наши читатели в комментариях к новости о планах Samsung «ликвидировать дефицит DRAM», компания стремится расширить производство и поставки, а не заботится о нас с вами. Но разве можно оспорить тот факт, что это пойдёт нам на пользу и всё-таки смягчит или вовсе покончит с дефицитом? Конечно нельзя! Со временем «невидимая рука рынка» неизбежно приведёт к перепроизводству, о чём Samsung прекрасно знает и стремится использовать это знание себе на пользу — опередив и разорив конкурентов с последующим отъёмом у них долей рынка. Это азбука. Конкуренты это тоже понимают, поэтому маховик рынка DRAM начинает раскручиваться в обратную сторону — в сторону наращивания производства.

wsj.com

Компания SK Hynix, как сообщают китайские источники, недавно согласовала планы с властями города Уси (Wuxi) по строительству в Китае своего второго завода по выпуску памяти типа DRAM. Инвестиции в проект оценены в $8,6 млрд. Проектная мощность предприятия составит 200 тыс. 300-мм пластин в месяц. Техпроцесс будет класса 10 нм. В настоящий момент, напомним, SK Hynix проводит миграцию производства памяти DRAM на технологические нормы 18 нм.

Производственный комплекс SK Hynix M14

Первый и пока единственный свой завод в Китае по выпуску памяти DRAM компания SK Hynix ввела в строй в 2006 году. О планах модернизации предприятия компания заявила в конце 2016 года. Перевооружение линий стартовало в июле этого года и продлится до апреля 2019 года. Это также послужило толчком к возникновению дефицита на рынке памяти. В модернизацию линий SK Hynix вложит $853,8 млн. Текущая мощность завода составляет 130 тыс. 300-мм пластин в месяц. Это примерно половина от всей выпускаемой SK Hynix памяти. Второй завод компании, когда он будет построен, едва ли не удвоит объёмы выпуска DRAM SK Hynix.

Прогнозируемая динамика роста производства памяти в 2018 году после расширения мощностей лидерами рынка (DRAMeXchange)

Компания Samsung, что интересно, планирует инвестиции в домашнее производство памяти. Она рассматривает вариант миграции в 2018 году с выпуска NAND на DRAM на новом заводе вблизи города Пхёнтхэк (Line 18), для чего может быть отдан второй этаж в новых цехах, а также изучает вопрос расширения линий (постройка новых корпусов) на старом заводе Line 17. В Китае Samsung выпускает только NAND память. Остаётся надеяться, что бряцанье со всех сторон оружием в регионе ничем плохим не закончится. В Южной Корее сосредоточено до 70 % мощностей по выпуску компьютерной памяти. Не хотелось бы переходить на глиняные таблички..