Samsung приступила к массовому выпуску 256-Гбит 64-слойной 3D NAND TLC

Компания Samsung Electronics в свежем официальном пресс-релизе сообщила о старте серийного производства 64-слойных микросхем флеш-памяти V-NAND (3D NAND) ёмкостью 256 Гбит. Следует уточнить, что ограниченный выпуск 64-слойных микросхем 3D NAND компания Samsung начала в четвёртом квартале прошлого года. Это позволило Samsung уже в январе 2017 года используя новую память начать поставку опытных SSD отдельным клиентам компании. Добавим, 64-слойные 256-Гбит микросхемы построены на ячейке с возможностью записи в каждую из них трёх бит данных (3D NAND TLC).

Массовый серийный выпуск 64-слойной 256-Гбит памяти 3D NAND TLC стартовал на линиях только что запущенного в строй нового завода компании вблизи города Пхёнтхэк (Pyeongtaek). Проектная мощность этого предприятия составляет 200 тыс. 300-мм пластин в месяц. На начальном этапе завод сможет ежемесячно обрабатывать 40–50 тыс. 300-мм пластин с флеш-памятью 3D NAND. Но даже этих объёмов хватит, чтобы уже во втором полугодии компания смогла довести долю производства 64-слойных микросхем 3D NAND в потоке всего производства NAND-флеш до уровня 50 % и даже превысить его.

На основе 64-слойных микросхем планируется выпускать твердотельные накопители для мобильных устройств, персональных компьютеров и серверов. Возможно, инициатива Samsung сможет повлиять на такую негативную тенденцию последних кварталов, как рост оптовых цен на флеш-память. Впоследствии 64-слойные микросхемы 3D NAND будут использованы для выпуска карт памяти и встраиваемой памяти, включая накопители UFS.

По данным Samsung, скорость передачи данных по одной линии 64-слойной памяти 3D NAND достигает 1 Гбит/с. Также новая память обещает самую быструю в индустрии страничную запись (tPROG) на уровне 500 мкс, что в четыре раза меньше значения, типичного для планарной флеш-памяти 10-нм класса и в 1,5 раза быстрее, чем в случае 48-слойной 256-Гбит 3D NAND TLC Samsung. Наконец, при одинаковой плотности записи энергоэффективность 64-слойной памяти на 30 % выше, чем у 48-слойной памяти (за счёт снижения напряжения питания с 3,3 В до 2,5 В), а также на 20 % повышена надёжность работы.

В заключение отметим, что во втором полугодии 2017 года конкуренты Samsung — компании Toshiba, Western Digital и SK Hynix — планируют начать производство более совершенной памяти 3D NAND. Так, Toshiba и Western Digital разработали и приступят к массовому выпуску 512-Гбит 64-слойной памяти 3D NAND, а компания SK Hynix начнёт массовый выпуск 256-Гбит 72-слойной 3D NAND. В обоих случаях плотность записи и себестоимость обещают оказаться лучше, чем у памяти Samsung актуального поколения. Это не останется без ответа. Гонка за числом слоёв и плотностью записи продолжится. Впереди 100-слойные чипы энергонезависимой памяти и 1-Тбит ёмкости.