За последние несколько лет твердотельные накопители основательно подешевели, тем не менее, цены на них всё ещё достаточно высоки по сравнению с обычными жёсткими дисками. Для сравнения: стоимость гигабайта в НМЖД объёмом 1 Тбайт составляет порядка $0,04, тогда как у SSD этот показатель равен $0,2–0,5. Конечно, это намного меньше, чем $1,17 за гигабайт в 2012 году, но всё же недостаточно, чтобы устройства хранения данных на базе флеш-памяти смогли вытеснить классические винчестеры в сегменте массовых ПК и ноутбуков. Устранить это неравенство пообещала корпорация Samsung, заявившая, что к 2020 году 512-Гбайт SSD будет стоить столько же, сколько сейчас стоят терабайтные HDD.
overclock3d.net
Чтобы добиться поставленной задачи, южнокорейскому гиганту потребуется почти на две трети снизить себестоимость чипов флеш-памяти, служащих основой твердотельных накопителей. Для этого он вынужден будет продолжать наращивать выпуск микросхем 3D V-NAND и одновременно увеличивать число слоёв в них.
overclock3d.net
Первые шаги в данном направлении уже делаются: на 2017 год намечен запуск серийного производства SSD на базе чипов V-NAND четвёртого поколения, которые компания анонсировала в августе на конференции Flash Memory Summit 2016. Они имеют в своей объёмной структуре 64 слоя ячеек памяти и характеризуются увеличенной до 512 Гбит плотностью кристалла, а также возросшей до 800 Мбит/с скоростью передачи данных. К 2020 году, скорее всего, уже будут представлены 96-слойные решения, хотя для их выпуска наверняка потребуются нормы производства, отличные от нынешнего 40-нм техпроцесса.
Напомним, что в настоящее время на массовом рынке компания Samsung предлагает накопители 3D V-NAND третьего поколения, которые предусматривают 48 слоёв в каждой микросхеме. В частности, этот тип флеш-памяти применяется в недавно анонсированном семействе SSD потребительского класса 960 Pro и 960 EVO.
Samsung не одна борется за увеличение плотности памяти V-NAND — с ней конкурирует альянс Toshiba и WD
Однако Samsung не одна борется за сегмент накопителей с памятью 3D V-NAND, в том числе и с перспективной 64-слойной. Альянс Toshiba и Western Digital также преуспел в данном направлении, разработав технологию BiCS 3D NAND, которая в сравнении с 48-слойной памятью может предложить в 1,4 раза большую плотность упаковку данных. Массовый выпуск устройств хранения данных на её основе также запланирован на 2017 год.
Источник:
