Samsung начинает массовое производство 16-Гбит GDDR6

Компания Samsung Electronics сообщила, что она приступила к массовому производству первой в индустрии 16-Гбит памяти GDDR6. Память GDDR6 обещает оказаться востребованной для выпуска игровых устройств, графических адаптеров, автомобильной электроники, сетевого оборудования и систем с искусственным интеллектом. Компания уверена в «своевременном» выпуске нового типа памяти, которая будет широко востребована индустрией и усилит позиции Samsung в среде производителей всех типов микросхем DRAM.

Для производства чипов GDDR6 компания Samsung использует техпроцесс с нормами класса 10 нм. Судя по косвенным признакам, о которых мы скажем ниже, это может быть техпроцесс с нормами 18 нм, который относится к первому поколению техпроцессов Samsung 10-нм класса. В то же время компания начала выпуск микросхем памяти с использованием второго поколения техпроцесса 10-нм класса. По словам Samsung, продуктивность производства чипов GDDR6 с нормами класса 10 нм выросла на 30 % по сравнению с объёмами производства 8-Гбит чипов GDDR5, выпускаемых с нормами класса 20 нм. Если бы чипы GDDR6 выпускались с использованием техпроцесса второго 10-нм поколения, то выход продукции оказался бы значительно больше.

Также интересно отметить, что память GDDR6, которая пошла в серию, обладает большей пропускной способностью, чем образцы, показанные на CES 2018 и заслужившие награду выставки. Так, на CES 2018 Samsung показала 16-Гбит GDDR6 с пропускной способностью 16 Гбит/с на контакт, а в серию пошла память с ПСП 18 Гбит/с на контакт. Общая пропускная способность 16-Гбит чипа GDDR6, тем самым, достигает 72 Гбайт/с. Это более чем в два раза быстрее, если сравнивать новинку с 8-Гбит GDDR5 со скоростью 8 Гбит/с на контакт.

Микросхемы памяти GDDR6 (Samsung)

Наконец, память GDDR6 работает при напряжении питания 1,35 В, что на 35 % меньше напряжения питания памяти GDDR5 (1,55 В). Память с низким питанием будет меньше потреблять и, что важно для игровых адаптеров, будет потенциально лучше разгоняться с учётом повышения питания при разгоне.