Компания Samsung, по сообщениям сетевых источников, намерена вложить около 7 млрд долларов США в расширение производственных мощностей.

Речь, в частности, идёт о запуске новых линий по выпуску продукции с применением 10-нанометровой технологии. Этот техпроцесс южнокорейский гигант использует при изготовлении чипов Qualcomm Snapdragon 835.
Кроме того, по 10-нанометровой технологии будут производиться собственные процессоры Samsung Exynos 9 Series, в частности, решения с индексом 8895. Утверждается, что по сравнению с 14-нанометровой методикой достигается увеличение быстродействия на 27 % и снижение энергопотребления на 40 %.
Инвестиции также будут направлены на формирование производственных линий для выпуска микрочипов по 7-нанометровой технологии. Ожидается, что изготовлением такой продукции Samsung займётся в следующем году.

Нужно отметить, что Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) рассчитывает начать рисковое производство 7-нанометровых чипов во втором квартале нынешнего года. Заказчиком уже выступила фирма MediaTek, которая намерена задействовать указанный техпроцесс для изготовления флагманских мобильных чипов, насчитывающих до 12 вычислительных ядер. Впрочем, на рынке такие процессоры, скорее всего, появятся только ближе к середине 2018-го.
Луна «похудела» на 45 метров: спутник Земли продолжает сжиматься, а на его поверхности по-прежнему возникают новые разломы
Кодом по железу: UART, I2C и SPI простыми словами для тех, кто боится «железа»
Флагманы Vivo X500 для Европы оценили почти как iPhone 18 Pro: утекли цены на старшие модели линейки
Недорогой, но с мощной батареей: Motorola работает над Moto G47 Power с аккумулятором на ~7000 мАч
Microsoft всерьёз думает об эксклюзивности Minecraft для Xbox? Об этом говорит её свежий опрос игроков
Intel снова поменяла схему названий: все новые процессоры Nova Lake получат имя Core Ultra 4000
Asus прислала RTX 5080 вместо RTX 4080 Super, но покупатель остался недоволен цветом видеокарты
Не нужна NVIDIA! Часть 2: 8 нейросетей на FPGA за $50 — и всё упёрлось в память DDR3