Миниатюрная память из оксида гафния становится эффективнее при уменьшении размеров
Команда ученых из Института науки Токио под руководством профессора Ютаки Мадзимы достигла значимого успеха в области создания энергонезависимой памяти, разработав сегнетоэлектрический туннельный переход (FTJ) с габаритами всего 25 нанометров. Важнейшим итогом исследования стал парадоксальный факт: вопреки сложившимся канонам микроэлектроники, характеристики устройства при уменьшении размеров не ухудшаются, а, напротив, становятся лучше. Фундамент современной вычислительной техники зиждется...

_large.png)







