Micron Mobile 3D NAND: объём памяти в смартфонах вырастет до 1 Тбайт

Компания Micron Technology представила свои первые микрочипы памяти 3D NAND, оптимизированные для использования в мобильных устройствах — смартфонах, фаблетах и планшетах.

Технология 3D NAND подразумевает применение объёмной архитектуры, благодаря чему значительно увеличивается объём хранимой информации на единицу площади. Micron, в частности, утверждает, что кристалл 3D NAND до 30 % компактнее кристалла обычной планарной памяти NAND той же ёмкости.

Первые изделия Micron Mobile 3D NAND имеют вместимость 32 Гбайт. Они рассчитаны на использование в смартфонах среднего и топового уровня. Микрочипы выполнены в соответствии со стандартом UFS 2.1. Напомним, что UFS, или Universal Flash Storage, — это общая спецификация флеш-накопителей для цифровых фотоаппаратов, сотовых телефонов и потребительской электроники. По сравнению с широко используемой памятью eMMC, чипы UFS обеспечивают существенное увеличение производительности при одновременном снижении потребляемой энергии.

Micron рассчитывает, что появление памяти 3D NAND, оптимизированной для мобильных устройств, снизит зависимость от microSD-карт и позволит существенно увеличить размер встроенной флеш-памяти смартфонов. В частности, к 2020 году ожидается появление аппаратов с внутренним накопителем вместимостью до 1 Тбайт.

Источник: