Со второго по шестое декабря в Сан-Франциско прошла конференция IEDM 2017 (IEEE International Electron Devices Meeting). Среди прочих докладов интересно отметить выступление представителей тайваньской компании Macronix. В своё время Macronix плотно сотрудничала с немецким производителем памяти компанией Qimonda. Вместе они разрабатывали технологии производства флеш-памяти. Задел оказался хорошим. Сейчас, когда имя Qimonda забыто, а компания давно прекратила своё существование, Macronix продолжает самостоятельно разрабатывать теперь уже многослойную флеш-память 3D NAND. Оказалось, что она даже способна удивить.
Сообщается, что Macronix на IEDM 2017 представила 3D NAND с новой высокоплотной структурой SGVC или single-gate vertical channel (вертикальный канал с одним затвором). Все остальные компании выпускают 3D NAND с затворами, которые окружают вертикальный канал со всех сторон — с круговым охватом или gate-all-around (GAA). За счёт использования меньшего по объёму затвора вертикальные каналы в 3D NAND Macronix удалось расположить ближе друг к другу — плотнее. Можно рассчитывать, что себестоимость хранения данных в 3D NAND Macronix будет меньше, чем в случае 3D NAND других производителей.
Относительное сравнение 3D NAND с затворами GAA и SGVC
К сожалению, компания не сообщает о площади опытного кристалла 3D NAND с SGVC-ячейками. Без этого параметра нельзя однозначно утверждать, что память Macronix плотнее той же V-NAND Samsung, хотя поверхностное сравнение говорит о преимуществе разработки тайваньской компании. Судите сами: 128-Гбит память Macronix выполнена в виде 16 слоёв с MLC-ячейкой (два бита в ячейке), а рекорд Samsung — это 512-Гбит 3D NAND TLC, которая состоит из 64 слоёв. Каждый слой памяти Macronix содержит 8 Гбайт данных в двухбитовых ячейках, а каждый слой памяти Samsung хранит те же 8 Гбайт данных, но в трёхбитовых ячейках. Выглядит интересно. Хотелось бы увидеть это в коммерческих продуктах.
Источник: 3DNews
