В 2015 году компания Samsung затеяла строительство нового гигантского завода по выпуску полупроводников. На строительство и оборудование выделена впечатляющая сумма в $13,6 млрд. Предприятие вблизи города Пхёнтхэк (Pyeongtaek) раскинется на площади 2,89 млн м2. Проектная мощность предприятия, которая будет достигнута в четыре этапа в 2019 году, составит 200 тыс. 300-мм пластин в месяц. Около половины пластин планируется отдавать под выпуск многослойной флеш-памяти 3D NAND, что дополнительно укрепит и без того прочные позиции Samsung на рынке энергонезависимой памяти.
Новый завод Samsung в Южной Корее (http://www.koreaherald.com)
Свежим сообщением южнокорейское издание Seoul Economy Daily рапортует, что первые линии на новом заводе Samsung начнут выпускать серийную продукцию до начала июля. Это будет передовая по нынешним меркам 64-слойная память 3D NAND. Первую серийную память с 64-слоями компания начала выпускать в ограниченных объёмах в конце прошлого года на другом своём заводе в Южной Корее. Также 64-слойную 3D NAND в конце лета прошлого года должна была начать выпускать компания Toshiba. Более плотную память массово пока никто не выпускает. Только во второй половине этого года к производству 72-слойной 256-Гбит 3D NAND TLC приступит компания SK Hynix.
Ранее сообщалось, что новый завод Samsung может начать массовый выпуск памяти 3D NAND уже в апреле, что на один квартал раньше запланированного. Судя по свежему сообщению, сделать этого не удалось, а жаль. Память 3D NAND как раз начала расти в цене, поэтому запуск предприятия Samsung на квартал раньше был бы очень кстати. Разумеется, для нас, для потребителей. Для компании Samsung отсрочка — это возможность заработать лишнюю копеечку на дорожающих сделках по 3D NAND.
Источник: 3DNews
