Экономический Дневник Тайваня: Huawei приступила к разработке 3-нм чипов с технологией GAA, как в современных решениях Samsung

Согласно информации от Taiwan Economic Daily, компания Huawei приступила к разработке 3-нанометровых микросхем, используя передовую технологию GAA (Gate-All-Around), и планирует начать их производство в 2026 году. Завершены лабораторные испытания 3-нанометровых систем на кристалле на основе углеродных нанотрубок, которые адаптируются для производственных линий SMIC.

Углеродные нанотрубки позволяют создавать транзисторы, которые менее громоздки, обладают большей мощностью и потребляют меньше энергии по сравнению с кремниевыми аналогами. Таким образом, Huawei продолжает оставаться на переднем крае технологий разработки чипов, несмотря на ограничения западных санкций, лишивших компанию доступа к передовым аппаратным средствам в этой области, включая литографы ASML.

Частично эта методика уже успешно внедрена на технологии 5 нанометров. Как сообщает Taiwan Economic Daily, Huawei применяет собственные разработки, например, литограф SMEE SSA800, 5-нанометровые травильные машины от Zhongwei с атомарной точностью, а также использует систему электронно-лучевого измерения от Beifang Huachuang для наноуровневой диагностики дефектов.

Следует отметить, что на данный момент Samsung остается единственным крупным игроком с готовой технологией 3 нм GAA.

Источник: iXBT