Samsung представила прототип памяти 3D NAND с рекордными 900 слоями
Компания Samsung Electronics представила концептуальный образец передовой 3D NAND памяти с рекордной 900-слойной архитектурой. Чтобы достичь столь впечатляющего показателя, инженеры применили прогрессивный метод CMB (Cell-on-Cell/multi-layer bonding), объединив два 450-слойных модуля в единый массив. Как сообщает ITHome со ссылкой на южнокорейские источники, функциональность прототипа уже успешно прошла первичные тесты. Изображение: Samsung Данная методика «сращивания» двух сложных...









