Компания Volkswagen начала производство представленных прошлой осенью электрических кроссоверов ID.5 и ID.5 GTX на заводе в Цвиккау, который был переоборудован для выпуска электромобилей. Для этого с 2018 года в него инвестировано примерно 1,2 млрд евро.
В этом году электромобили Volkswagen будут собираться на заводах в Эмдене (ID.4), Ганновере (ID.Buzz) и Чаттануге (ID.4). Пресс-служба Volkswagen заявила, что компания заложила основу для выпуска в 2022 году 1,2 млн электромобилей на базе платформы MEB на своих предприятиях в Европе, США и Китае.
Новый купе-кроссовер Volkswagen ID.5 и спортивный ID.5 GTX построены на модульной платформе MEB. Volkswagen ID.5 будет приводиться в движение электродвигателем мощностью 174 л.с на задней оси, а ID.5 GTX оснащен системой полного привода – двумя электромоторами, установленными на передней и задней осях. Электромобиль оснащается тяговой аккумуляторной батареей емкостью 77 кВт·ч, запас хода достигает 520 км. Мощность быстрой зарядки может достигать 135 кВт.
Старшая версия Volkswagen ID.5 GTX имеет три электромотора мощностью 295 л.с. и разгоняется от 0 до 100 км/ч за 6,3 с.
Ожидается, что к 2030 году не менее 70% всех продаж Volkswagen в Европе будут приходиться на электромобили.

HyperOS от Xiaomi получила масштабное обновление с исправлением 180 уязвимостей
Xiaomi выпустила беспроводной утюжок для волос с плазмой, термоконтролем и автономностью 70 минут
OnePlus 16 с процессором Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 и экраном 185 Гц установил рекорд в AnTuTu, набрав 5,38 млн баллов
Флагман Motorola Signature 27 с камерой на 200 Мп, чипом Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 и 7 годами обновлений рассекречен до анонса
«Мы взломали ФБР»: хакеры похитили базу данных всех сотрудников бюро
Анонсированы «неубиваемые» смарт-часы Amazfit T-Rex Dual Solar с автономностью до 180 дней и офлайн-навигацией
Goldman Sachs увеличил прогноз по производству гуманоидных роботов на 2030 год в три раза
Анонсированы флагманские процессоры Qualcomm Snapdragon 8 Elite Gen 6 и Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 с техпроцессом 2 нм и частотой выше 5 ГГц