Вторая очередь линий Toshiba на заводе Fab 6 начнёт работать в конце 2018 года

Компания Toshiba выпустила пресс-релиз, в котором сообщила о начале закупок необходимого промышленного оборудования для оснащения «чистой комнаты» для второй очереди линий на заводе Fab 6. На эти цели компания выделила 27 млрд иен ($250 млн). На эти деньги будет развёрнута система воздушного кондиционирования и установлено другое вспомогательное оборудование.

Вторая очередь линий Toshiba на заводе Fab 6 начнёт работать в конце 2018 года

Завод Fab 6 компании Toshiba

Отметим, на закупку литографических сканеров требуются совсем другие суммы. Один сканер с лазером 193-нм диапазона стоит от $70 до $80 млн. На эти цели Toshiba также недавно выделяла немалые средства (дважды осенью и в обоих случаях внепланово). В ближайшей перспективе спрос на память 3D NAND видится настолько внушительным, что компания вынуждена вкладывать в развитие производства с опережением своего же графика.

Первая очередь производственных корпусов на заводе Fab 6 начала строиться в феврале 2017 года. В августе Toshiba приступила к закупке производственного оборудования для оснащения линий и чистой комнаты первой очереди. Позже к финансированию этого строительства была допущена компания Western Digital. После урегулирования спора о продаже полупроводникового подразделения TMC (Toshiba Memory Corporation) в руки консорциуму K.K. Pangea во главе с компанией Bain Capital Private Equity компании Western Digital было разрешено инвестировать в совместные производства без ограничений вплоть до 2029 года.

Линии первой очереди на Fab 6 в Йоккаити (префектура Миэ) начнут выпускать первую продукцию в середине текущего года. Вторая очередь линий должна начать работу в конце 2018 года. Ожидается, что новые мощности TMC начнут выпуск продукции с 96-слойной памяти 3D NAND (в терминологии Toshiba — BiCS FLASH). Это могут быть как 256-Гбит и 512-Гбит 3D NAND TLC, так и 768-Гбит 3D NAND QLC.

 
Источник: 3DNews

3D-NAND, toshiba corporation, инвестиции, производство микросхем

Читайте также