Вообразите память с высокой скоростью HBM и объёмами NAND: SanDisk представила новую High Bandwidth Flash (HBF)

Компания SanDisk, отделившаяся от Western Digital, представила инновационную разработку в области памяти, которая позволит ей войти в стремительно развивающийся рынок искусственного интеллекта. Речь идёт о новом типе памяти. 

Компания представила новую архитектуру флэш-памяти с высокой пропускной способностью, объединяющую обширную ёмкость хранения 3D NAND с пропускной способностью, сопоставимой с HBM. 

Технология включает в себя сочетание 16 слоёв недавно разработанных кристаллов 3D NAND с использованием миниатюрных транспортных каналов, известных как сквозные кремниевые переходы. Существует также специальный логический слой, который позволяет записывать данные в отдельные подмассивы NAND и извлекать их одновременно. Благодаря этому, High Bandwidth Flash (HBF) обеспечивает в 8-16 раз большую ёмкость на стек по сравнению с современными реализациями HBM. 

В качестве примера компания продемонстрировала систему с восемью стековыми HBF, обладающей невероятной ёмкостью в 4 ТБ, что недостижимо для актуальной HBM. Однако, среди недостатков новой технологии остаётся одна из ключевых проблем NAND по сравнению с HBM — более высокие задержки. Тем не менее, это не критично для задач, связанных с искусственным интеллектом, а для потребительских игровых систем такую память всё равно применять не станут. 

Источник: iXBT