Компания Samsung Electronics на мероприятии Flash Memory Summit 2016 в Санта-Кларе (Калифорния, США) продемонстрировала твердотельный накопитель (SSD) вместимостью 32 Тбайт.
Сообщается, что устройство хранения данных выполнено на основе 512-гигабитных флеш-чипов памяти Vertical NAND (V-NAND) четвёртого поколения. Технология V-NAND предусматривает компоновку кристаллов флеш-памяти по вертикали: это позволяет получить трёхмерную структуру микрочипа и в разы повысить количество хранимой информации на единицу площади.
В новом накопителе Samsung использованы 512 чипов V-NAND, сгруппированных в 16 слоёв. В сумме они дают указанную ёмкость в 32 Тбайт.
Накопитель выполнен в форм-факторе 2,5 дюйма; для подключения применяется интерфейс Serial Attached SCSI (SAS). Устройство рассчитано на использование в оборудовании корпоративного класса.
Массовое производство новинки планируется организовать в следующем году. Информации об ориентировочной цене пока нет.
Источник:
Развитие отечественной электроники обойдется россиянам в 136 миллиардов рублей
OnePlus 12 массово ломаются из-за проблем с материнской платой
В базе Google Play Console появились характеристики Galaxy A08 — первого смартфона Samsung нового поколения
В России новый Galaxy Z Fold 8 самовоспламенился во время ночной зарядки
Батарея на 9100 мАч, экран 2К и защита IP69: все характеристики iQOO Neo 11 Ultra рассекретили прямо перед анонсом
Перовскитные солнечные панели обошли кремниевые: 22% эффективности и всего 2% потерь за 1300 часов в экстремальных условиях
Китайские умельцы наводнили рынок модифицированными GeForce RTX 3080 с 20 ГБ памяти
Плавучая АЭС получила свежее ядерное топливо от «Росатома»