Компания Samsung Electronics на мероприятии Flash Memory Summit 2016 в Санта-Кларе (Калифорния, США) продемонстрировала твердотельный накопитель (SSD) вместимостью 32 Тбайт.
Сообщается, что устройство хранения данных выполнено на основе 512-гигабитных флеш-чипов памяти Vertical NAND (V-NAND) четвёртого поколения. Технология V-NAND предусматривает компоновку кристаллов флеш-памяти по вертикали: это позволяет получить трёхмерную структуру микрочипа и в разы повысить количество хранимой информации на единицу площади.
В новом накопителе Samsung использованы 512 чипов V-NAND, сгруппированных в 16 слоёв. В сумме они дают указанную ёмкость в 32 Тбайт.
Накопитель выполнен в форм-факторе 2,5 дюйма; для подключения применяется интерфейс Serial Attached SCSI (SAS). Устройство рассчитано на использование в оборудовании корпоративного класса.
Массовое производство новинки планируется организовать в следующем году. Информации об ориентировочной цене пока нет.
Источник:
В России появился защищённый RugKing 5 Pro с аккумулятором на 20 000 мАч за 23 100 рублей
В России разрабатывают комплекс для спутников нового поколения «Экспресс»
ZTE опровергла продажу смартфонного бизнеса и пригрозила СМИ судебными исками
Honor Magic 9 Pro Max для мирового рынка протестировали: появились первые снимки с основной и телеобъектива
Глобальный Honor Magic 9 Pro Max и его комплектацию показали вживую: камера смартфона получила технологии ARRI
Xiaomi представила массажёр с двусторонним прогревом, семью режимами и автономностью до 110 минут
Новейший Boeing 737 MAX 10 едва получил сертификацию, а ирландская Avolon уже заказала 140 таких самолетов
JetZero получила $5,3 млн на испытания самолёта-крыла на 250 пассажиров с дальностью более 9000 км