Компания Samsung Electronics на мероприятии Flash Memory Summit 2016 в Санта-Кларе (Калифорния, США) продемонстрировала твердотельный накопитель (SSD) вместимостью 32 Тбайт.
Сообщается, что устройство хранения данных выполнено на основе 512-гигабитных флеш-чипов памяти Vertical NAND (V-NAND) четвёртого поколения. Технология V-NAND предусматривает компоновку кристаллов флеш-памяти по вертикали: это позволяет получить трёхмерную структуру микрочипа и в разы повысить количество хранимой информации на единицу площади.
В новом накопителе Samsung использованы 512 чипов V-NAND, сгруппированных в 16 слоёв. В сумме они дают указанную ёмкость в 32 Тбайт.
Накопитель выполнен в форм-факторе 2,5 дюйма; для подключения применяется интерфейс Serial Attached SCSI (SAS). Устройство рассчитано на использование в оборудовании корпоративного класса.
Массовое производство новинки планируется организовать в следующем году. Информации об ориентировочной цене пока нет.
Источник:
Защищенный кнопочный Nokia 123 Shield за 35 евро работает только в сетях 2G
Samsung представила революционный Galaxy Z Fold 8: каким будет главный конкурент iPhone Ultra
Poco F9 Pro и Ultra прошли сертификацию: смартфоны получат 200-Мп камеры и емкие аккумуляторы
Samsung Galaxy Watch 9: яркий экран, улучшенная автономность и новые функции для здоровья
Представлен первый в мире ПК на базе 16-ядерного Ryzen AI Max+ Pro с 192 ГБ ОЗУ: Framework Desktop
Xiaomi Smart Band 11 Active: доступный фитнес-браслет с большим экраном, защитой от воды и автономностью до 14 дней оценили в 40 евро
«Госуслуги» превратятся в соцсеть и станут конкурентом Max
Энергокомпании США обещают освободить потребителей от оплаты счетов, связанных с работой ИИ