Компания Samsung Electronics на мероприятии Flash Memory Summit 2016 в Санта-Кларе (Калифорния, США) продемонстрировала твердотельный накопитель (SSD) вместимостью 32 Тбайт.
Сообщается, что устройство хранения данных выполнено на основе 512-гигабитных флеш-чипов памяти Vertical NAND (V-NAND) четвёртого поколения. Технология V-NAND предусматривает компоновку кристаллов флеш-памяти по вертикали: это позволяет получить трёхмерную структуру микрочипа и в разы повысить количество хранимой информации на единицу площади.
В новом накопителе Samsung использованы 512 чипов V-NAND, сгруппированных в 16 слоёв. В сумме они дают указанную ёмкость в 32 Тбайт.
Накопитель выполнен в форм-факторе 2,5 дюйма; для подключения применяется интерфейс Serial Attached SCSI (SAS). Устройство рассчитано на использование в оборудовании корпоративного класса.
Массовое производство новинки планируется организовать в следующем году. Информации об ориентировочной цене пока нет.
Источник:
Глава Anthropic призвал замедлить развитие ИИ ради безопасности человечества
UBtech запустила гигантский завод роботов для сборки гуманоидов тиражом 10 тысяч в год
Обзор бюджетного смартфона Cubot A50 за 10 тысяч рублей
Иран задействовал американский ИИ Claude для наведения на военных США и создания гиперзвукового оружия
В Китае выстроились в очередь за складным iPhone Duo: на JD.com оформили почти 1,55 млн предзаказов
Ученые открыли экстремальный «горячий лед», который может существовать в недрах Урана и Нептуна
К 2040 году в России может появиться инновационный многоразовый лунный корабль
Представлен Ugreen iDX6011 Pro: универсальный сервер на Intel Core Ultra 7 с поддержкой до 208 ТБ