В памяти Samsung V-NAND следующего поколения будет 160 слоев

Осенью прошлого года компания Samsung Electronics пообещала, что в 2020 году будет начат серийный выпуск и поставки кристаллов 128-слойной флеш-памяти TLC NAND плотностью 256 и 512 Гбит, в которых найдет применение технология V-NAND шестого поколения. По сообщению источника, южнокорейский производитель уже разрабатывает флеш-память V-NAND седьмого поколения. В ней будет насчитываться не менее 160 слоев.

В марте, выступая на общем собрании акционеров, заместитель председателя правления Samsung Кинам Ким (Kim Ki-nam) подтвердил, что компания разрабатывает V-NAND седьмого поколения, чтобы оторваться от конкурентов. Пока никто из производителей не выпускает флеш-память с числом слоев более 128.

Как утверждается, Samsung Electronics рассматривает возможность применения в памяти V-NAND седьмого поколения технологии «двойного стека». Она дороже используемой сейчас технологии «одинарного стека», но позволяет увеличить число слоев. Отметим, что другие производители флеш-памяти уже сейчас используют технологию «двойного стека», но в Samsung до сих пор обходились без нее, используя технологию HARC (High Aspect Ratio Contact). Видимо, дальнейшее увеличение числа слоев в одном стеке затруднено.