В Сети появились изображения официальной презентаций Intel с дорожной картой серверных процессоров. Причем, что интересно, картинки явно заимствованы из документов русского офиса компании.
Судя по ним, новое поколение серверных процессоров Sapphire Rapids выйдет в конце 2021 года как первая часть платформы Eagle Stream. Вторая часть этой платформы — Granite Rapids — появятся в самом конце 2022 года или в 2023. Но пока до них еще далеко, а вот о Sapphire Rapids кое-что уже известно.
Во-первых, 10-нанометровые Sapphire Rapids получат новую архитектуру — это будет Willow Cove, идущая на смену Sunny Cove. Платформе Eagle Stream приписывают поддержку памяти DDR5 (восьми каналов) и шины PCIe 5.0. Следовательно, все это будет и у Sapphire Rapids. А еще у этих процессоров (что уже входит в традицию Intel) будет новый сокет — LGA 4677 вместо LGA 4189, используемого в CPU Cooper Lake-SP и Ice Lake-SP.
Одно- и двухпроцессорные системы Sapphire Rapids будут поддерживать CPU с количеством ядер до 48 и TDP до 200 Вт, а вот уже более серьезные четырех- и восьмипроцессорные платформы будут поддерживать работу с процессорами числом ядер до 32 и TDP свыше 200 Вт.
Все это, конечно, хорошо, но в 2021 году AMD может выпустить 5-нанометровые CPU Epyc Genoa — тоже с поддержкой DDR5 и PCIe 5.0. И как им будут противостоять Sapphire Rapids пока можно только догадываться.

Gigabyte подтвердила выпуск новых процессоров Intel для LGA 1700 в начале следующего года
Представлена система видеонаблюдения VisionGuard VG-15M6 с возможностью запускать Crysis
Xiaomi выпустила пауэрбанк на 10 000 мА·ч с зарядкой 55 Вт и встроенным кабелем всего за $45
Польская суборбитальная ракета «Перун» успешно прошла первые испытания
Обвал рынка ПК на 20% приведет к распродажам из-за переполненных складов
Серверное оборудование 2027 года: главные технологические новинки
Официально рассекречен OnePlus 16: батарея 9000 мАч, зарядка 100 Вт, Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 и экран 165 Гц
Раскрыты первые официальные характеристики флагманского iQOO Neo 12 с батареей на 9000 мА·ч и активным охлаждением