У Phison готова настраиваемая платформа для твердотельных накопителей с интерфейсом PCIe Gen 5

Компания Phison Electronics, специализирующаяся на разработке контроллеров для твердотельных накопителей, объявила о доступности своей разработки, которая позволит производителям уже в будущем году начать поставки SSD с интерфейсом PCIe Gen 5. Следует отметить, что в пресс-релизе Phison упоминаются SSD как корпоративного, так и потребительского сегментов.

Бизнес-модели клиентов Phison из числа производителей системных плат и накопителей предполагают, что эти компании смогут получить доступ к новейшим технологиям до того, как будет выстроена вся связанная с ними экосистема программного и аппаратного обеспечения. Учитывая это, Phison уже предлагает платформу твердотельных накопителей с интерфейсом PCIe Gen 5.

Разработчик контроллеров отмечает, что PCIe Gen 5 по максимальной скорости передачи данных (32 Гбит/с) вдвое превосходит PCIe Gen 4, позволяя удвоить общую производительность или уменьшить вдвое количество линий при сохранении производительности. Платформа, предложенная Phison, включает первый контроллер серии E26. Производитель отмечает два ключевых отличительных преимущества этой платформы.

Во-первых, Phison использует в своих контроллерах больше критически важных IP-ядер собственной разработки, чем любой другой производитель, тем самым устраняя зависимость от сторонних компаний и проблему разнородности строительных блоков, из которых состоит контроллер.

Во-вторых, контроллер E26 разрабатывается одновременно с прошивкой Phison в среде FPGA, даже до передачи микросхемы в производство, чем обеспечивается сокращение выхода на рынок и высокая надежность.

Платформа будет поддерживать двойной порт PCIe и расширенные функции, такие как SR-IOV и ZNS, а также новейшие интерфейсы NAND ONFI 5.x и Toggle 5.x. В настраиваемом контроллере используются процессорные ядра ARM R5 с низким энергопотреблением и IP-ядра сопроцессоров CoXProcessor 2.0, характеризующиеся низким энергопотреблением. Тестовые образцы E26 Gen 5 изготовлены по 12-нанометровому техпроцессу.