флеш-память

Toshiba обещает повышенную износоустойчивость 3D QLC NAND: 1000 циклов перезаписи

Toshiba обещает повышенную износоустойчивость 3D QLC NAND: 1000 циклов перезаписи

На прошедшей неделе компании Toshiba и Western Digital объявили о планах представить 3D QLC NAND флеш-память, способную хранить четыре бита данных в одной ячейке. QLC-память обсуждается в индустрии вот уже несколько лет, но многие ставили под сомнение целесообразность её использования…
Читать дальше
Toshiba умолчала о возможном получении SK Hynix доли в производстве чипов памяти

Toshiba умолчала о возможном получении SK Hynix доли в производстве чипов памяти

Согласно данным источников Reuters, план продажи полупроводникового подразделения Toshiba может включать возможность для SK Hynix получить в конечном итоге миноритарную долю в бизнесе, что противоречит публичным заявлениям Toshiba. REUTERS/Kim Hong-Ji SK Hynix Inc предложила, чтобы сделка по покупке полупроводникового бизнеса…
Читать дальше
Samsung Galaxy Note8 приписывают 64 и 128 Гбайт флеш-памяти

Samsung Galaxy Note8 приписывают 64 и 128 Гбайт флеш-памяти

До анонса Samsung Galaxy Note8 остается ещё порядка двух месяцев, но слухи о нём уже буквально льются рекой. Очередная утечка говорит о том, что предстоящая новинка будет поставляться с 64 и 128 Гбайт встроенной флеш-памяти. При этом обе версии будут…
Читать дальше
Micron прощается с брендом Lexar, выпускавшим карты памяти и различные аксессуары

Micron прощается с брендом Lexar, выпускавшим карты памяти и различные аксессуары

Помните USB-накопитель Lexar, выдерживающий погружение на глубину до 30 метров, или же карты памяти Lexar CFast 2.0 3500x/3600x ёмкостью до 512 Гбайт с выдающимися показателями скорости чтения и записи? Увы, но новых устройств от Lexar поклонникам данной марки ждать теперь не стоит. Владелец бренда…
Читать дальше
Sony улучшила плотность и надёжность фирменной памяти ReRAM

Sony улучшила плотность и надёжность фирменной памяти ReRAM

Как мы сообщали, с 2013 года компания Sony совместно с компанией Micron разрабатывает фирменную память типа ReRAM (резистивная память со случайным доступом). Предложенная партнёрами конструкция ячейки ReRAM выглядит как одна из самых прогрессивных в индустрии, а память ReRAM сегодня не…
Читать дальше
ReRAM 4DS такая же быстрая, как DRAM

ReRAM 4DS такая же быстрая, как DRAM

Молодая австралийская компания 4DS Memory Limited продолжает совершенствовать энергонезависимую память типа ReRAM (резистивную с произвольным доступом). К сегодняшнему дню представлено достаточно много вариантов резистивной памяти. Некоторые даже склонны видеть ReRAM в памяти Intel 3D XPoint, хотя последняя использует ячейку с…
Читать дальше
Спецификации NVMe 1.3: новые возможности для быстрых SSD

Спецификации NVMe 1.3: новые возможности для быстрых SSD

Ещё сравнительно недавно единственным интерфейсом для твердотельных накопителей потребительского класса был Serial ATA — сначала вторая ревизия со скоростью передачи данных 3 Гбит/с, затем более современная третья с удвоенной скоростью, составляющей 6 Гбит/с. Более быстрый протокол SAS 3, обеспечивающий 12…
Читать дальше
Western Digital подала в арбитражный суд на Toshiba

Western Digital подала в арбитражный суд на Toshiba

Компанию Western Digital не остановила угроза Toshiba предпринять все доступные средства защиты, вплоть до запрета на доступ её сотрудников к интеллектуальной собственности японской компании и к работе на совместном заводе в Японии, если та не прекратит мешать продаже полупроводникового бизнеса.…
Читать дальше
Toshiba попросила Western Digital не мешать продаже полупроводникового бизнеса

Toshiba попросила Western Digital не мешать продаже полупроводникового бизнеса

Компания Toshiba попросила Western Digital не вмешиваться в продажу своего подразделения по выпуску чипов памяти, отклонив обвинения в нарушении ею контракта о совместном предприятии и угрожая судебными исками. REUTERS/Toru Hanai Конфликт Toshiba с Western Digital, являющейся её бизнес-партнёром и одним…
Читать дальше
Твердотельные накопители PNY CS900 используют флеш-память TLC NAND

Твердотельные накопители PNY CS900 используют флеш-память TLC NAND

Компания PNY Technologies выпустила твердотельные (SSD) накопители серии CS900, подходящие для использования в настольных и портативных компьютерах. Устройства хранения данных выполнены в 2,5-дюймовом форм-факторе. Применены микрочипы флеш-памяти TLC NAND — технология позволяет хранить три бита информации в одной ячейке. Для…
Читать дальше