Samsung Electronics объявила о том, что первой на рынке запустила производство флеш-памяти V-NAND девятого поколения.
В данном случае речь о памяти TLC ёмкостью в 1 Тбит. Вероятно, это новая 290-слойная память, но в пресс-релизе Samsung об этом не говорит.
Относительно памяти V-NAND восьмого поколения в новой памяти на 50% повышена плотность битов. V-NAND девятого поколения оснащена интерфейсом нового поколения под названием Toggle 5.1, который поддерживает на 33% увеличенную скорость ввода/вывода данных. Теперь речь о скорости 3,2 Гбит/с. Также компания говорит о 10-процентном снижении энергопотребления.
Компания отмечает, что во второй половине года начнёт массовое производство такой же памяти, но типа QLC.
Источник: iXBT
